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公开(公告)号:CN101395979A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200780007586.2
申请日:2007-03-02
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/116 , H05K1/0219 , H05K1/0222 , H05K1/0245 , H05K1/0251 , H05K3/429 , H05K2201/09381 , H05K2201/09636 , H05K2201/09718 , H05K2201/09727
Abstract: 根据一个实施例,在多层衬底中联接过孔结构和平面传输线的宽频带过渡形成为信号过孔焊盘和配置在相同导体层上的平面传输线之间的中间连接。过渡的横向尺寸在一端等于过孔焊盘直径并且在另一端等于带宽度;过渡的长度可以等于在平面传输线的方向的余隙孔的特征尺寸或者被定义为根据通过三维全波仿真得到的数值图在时域中提供的最小过剩感抗。
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公开(公告)号:CN100544559C
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200580007342.5
申请日:2005-03-09
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/0222 , H05K1/0269 , H05K3/429 , H05K2201/09536 , H05K2201/09618 , H05K2201/09718 , H05K2201/09809
Abstract: 一种用于多层印刷板(PCB)的通孔传输线,其中波导通道由下列部分形成:一个信号通孔或多个信号通孔;由围绕该信号通孔或相应数目的耦合信号通孔的接地通孔、一组来自多层PCB导体层的接地板构成的组合体;以及间隙孔。在这种通孔传输线中,所述信号通孔或所述多个信号通孔形成了内导电边界,接地通孔和来自多层PCB导体层的接地板形成外导电边界,间隙孔提供了内导电边界与外导电边界的绝缘,并借助于预定间隙孔截面形状及尺寸而提供了通孔传输线的高性能的宽频带作用,其中间隙孔的截面形状是由外导电边界中接地通孔的排列确定的,而该间隙孔的尺寸则是根据如下方法来确定的,亦即,使得由通孔传输线的波导通道中的接地板形成的外导电边界的特殊波纹所引起的频率相关回波损耗减到最小。
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公开(公告)号:CN1930930A
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN200580007342.5
申请日:2005-03-09
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/0222 , H05K1/0269 , H05K3/429 , H05K2201/09536 , H05K2201/09618 , H05K2201/09718 , H05K2201/09809
Abstract: 一种用于多层印刷板(PCB)的通孔传输线,其中波导通道由下列部分形成:一个信号通孔或多个信号通孔;由围绕该信号通孔或相应数目的耦合信号通孔的接地通孔、一组来自多层PCB导体层的接地板构成的组合体;以及间隙孔。在这种通孔传输线中,所述信号通孔或所述多个信号通孔形成了内导电边界,接地通孔和来自多层PCB导体层的接地板形成外导电边界,间隙孔提供了内导电边界与外导电边界的绝缘,并借助于预定间隙孔截面形状及尺寸而提供了通孔传输线的高性能的宽频带作用,其中间隙孔的截面形状是由外导电边界中接地通孔的排列确定的,而该间隙孔的尺寸则是根据如下方法来确定的,亦即,使得由通孔传输线的波导通道中的接地板形成的外导电边界的特殊波纹所引起的频率相关回波损耗减到最小。
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公开(公告)号:CN1799290A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200480015202.8
申请日:2004-06-01
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
CPC classification number: H05K1/0222 , H01P3/06 , H05K1/024 , H05K1/0251 , H05K3/429 , H05K2201/0187 , H05K2201/09063 , H05K2201/09536 , H05K2201/09618 , H05K2201/09718 , H05K2201/09809
Abstract: 一种印刷电路板用小型转接传输线路及其设计方法,包括:形成小型转接传输线路的内侧导体边界并构成转接孔的中心导体(101);设置在中心导体的周围形成外侧导体边界的多个接地转接孔(102);以及由印刷电路板的导体层构成的接地板。并且,在所述内侧导体边界与所述外侧导体边界之间设置结构参数调整用转接孔(103),在信号转接孔中传播的信号与其他信号在高频信号频带被电性隔离不会产生交扰。实现了具有好的特性阻抗且包含多层印刷电路板的小型化的同时,还能扩大安装在该印刷电路板上的转接孔传输线路的频率范围。
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公开(公告)号:CN1183594C
公开(公告)日:2005-01-05
申请号:CN98119313.7
申请日:1998-09-11
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/4951 , H01L23/60 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0248 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/06136 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H02H9/046 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/85399
Abstract: 一种带有保护电路的引线在芯片上(LOC)的或是芯片在引线上(COL)的半导体器件。将非接线端制作得比接线端短,以降低非接线端的电感,或为非接线端与接线端的保护电路取得互不相同的保护能力。将非接线端保护电路的时间常数制作得比接线端保护电路的长。还使接线端的箝位能力比邻近接线端的另一接线端的强。
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公开(公告)号:CN1139988C
公开(公告)日:2004-02-25
申请号:CN98119312.9
申请日:1998-09-11
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/60
CPC classification number: H03K5/08 , H01L27/0251 , H01L27/0255 , H01L27/0288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种带有防止静电放电保护电路的半导体集成电路,其中一个箝位件与MIS晶体管相连,以在带电器件模型下防止击穿,一寄生双极晶体管、MOS晶体管或其栅极由比转换门的绝缘膜厚的绝缘膜构成的MIS晶体管可用作箝位件。
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公开(公告)号:CN101395979B
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN200780007586.2
申请日:2007-03-02
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/116 , H05K1/0219 , H05K1/0222 , H05K1/0245 , H05K1/0251 , H05K3/429 , H05K2201/09381 , H05K2201/09636 , H05K2201/09718 , H05K2201/09727
Abstract: 根据一个实施例,在多层衬底中联接过孔结构和平面传输线的宽频带过渡形成为信号过孔焊盘和配置在相同导体层上的平面传输线之间的中间连接。过渡的横向尺寸在一端等于过孔焊盘直径并且在另一端等于带宽度;过渡的长度可以等于在平面传输线的方向的余隙孔的特征尺寸或者被定义为根据通过三维全波仿真得到的数值图在时域中提供的最小过剩感抗。
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公开(公告)号:CN1156906A
公开(公告)日:1997-08-13
申请号:CN96119247.X
申请日:1996-10-14
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 成田薰
IPC: H01L29/78 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/10808 , H01L29/41775
Abstract: 本发明提供一种包括下列部分的场效应晶体管。在半导体衬底上配置绝缘膜。第一和第二多晶硅膜,使第一多晶硅膜通过第二多晶硅膜连至半导体衬底的预定区域中的周边部分。选择地设置栅绝缘膜,它在半导体衬底除周边部分之外的预定区域上延伸,并在第二多晶硅膜和围绕第二多晶硅膜的那部分第一多晶硅膜上延伸。在栅绝缘膜上设置栅极,在栅绝缘膜下限定复合沟道区。在除栅绝缘膜下的部分之外的第一多晶硅膜中选择地设置源区和漏区,使源区和漏区通过复合沟道区相连。
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公开(公告)号:CN101292393A
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200680038793.X
申请日:2006-10-10
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H05K1/0222 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L2223/6622 , H01L2224/16235 , H01L2924/01004 , H01L2924/01057 , H01L2924/01087 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/115 , H05K1/116 , H05K3/429 , H05K2201/093 , H05K2201/09618 , H05K2201/09636 , H05K2201/09663 , H05K2201/09718
Abstract: 提供在多层PCB中,在宽频带中具有高电气性能和高屏蔽性能的垂直信号路径、具有该垂直信号路径的印刷电路板和具有该印刷电路板的半导体封装,以及半导体芯片垂直信号路径。在用于多层PCB的垂直信号路径中,波导通道是一个导体,其包括信号通孔(201)、围绕该信号通孔的接地通孔(202)的组件、从PCB的导体层连接到接地通孔的接地板、连接接地通孔和电源层的闭合接地带线(205)中的至少一个。
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公开(公告)号:CN1055566C
公开(公告)日:2000-08-16
申请号:CN96104324.5
申请日:1996-01-11
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 成田薰
CPC classification number: H01L27/0288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在P-型半导体衬底上设置一输入端和连到输入端上的N-型扩散层的输入保护电阻。用于内部电路的第1和第2N型MOS晶体管,在各自的源扩散层上与地线相连。第1MOS晶体管比第2MOS晶体管离输入保护电阻器的距离较近。通过高熔点金属布线,例如硅化钨等等,连接第1MOS晶体管的源扩散层和地线,以便增加电阻改善静电击穿电位。因此,可能使输入保护电阻和第1MOS晶体管之间的距离较短,以便在输入保护电阻器周围消除无用区和减少芯片面积。
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