公开(公告)号：CN1237205C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN00136258.5

申请日：2000-12-18

Applicant: 日本电气株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 长谷卓 ,  宫坂洋一 ,  新内聡畅 ,  森冈洋 ,  山手拓 ,  桂木速人 ,  森清人

IPC: C23C18/12 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C18/1216

Abstract: 提供能够形成无涂布不匀(条痕)的均匀薄膜的铁电体薄膜形成用溶液及铁电体薄膜形成方法。还提供以含有选自改性硅油或者氟型表面活性剂中的至少一种为特征的铁电体薄膜形成用溶液及使用该溶液的铁电体薄膜形成方法。

公开(公告)号：CN1303954A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00136258.5

申请日：2000-12-18

Applicant: 日本电气株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 长谷卓 ,  宫坂洋一 ,  新内聬畅 ,  森冈洋 ,  山手拓 ,  桂木速人 ,  森清人

IPC: C23C18/12 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C18/1216

Abstract: 提供能够形成无涂布不匀(条痕)的均匀薄膜的强电介质薄膜形成用溶液及强电介质薄膜形成方法。还提供以含有选自改性硅油或者氟型表面活性剂中的至少一种为特征的强电介质薄膜形成用溶液及使用该溶液的强电介质薄膜形成方法。

公开(公告)号：CN1216296A

公开(公告)日：1999-05-12

申请号：CN98120287.X

申请日：1998-10-14

Applicant: 日本电气株式会社 ,  辛姆特瑞克斯公司

Inventor： 长谷卓

IPC: C04B35/475

CPC classification number: H01L21/31691 ,  H01L28/56

Abstract: 在硅基片的表面上涂上一层作为下层电极的贵金属(Pt),然后电极上由包含铋元素的氧化薄膜构成的缓冲层。在该缓冲层的表面上形成铋层结构的铁电物质的薄膜。这样,在低温度进行的结晶过程中,可以避免铋层结构的铁电物质与涂在硅基片上的贵金属之间发生反应。因此,可以抑制如此形成的薄膜中的构成成分逸出,以提供具有高密度的薄膜。

公开(公告)号：CN101356639B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680050602.1

申请日：2006-12-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 长谷卓

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供一种通过采用具有均匀组分的栅电极可以防止功函数偏移和由于Vth的有效控制呈现良好工作特性的半导体器件。该半导体器件的特征在于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管、包括具有高介电系数的含Hf-的绝缘膜的栅绝缘膜、包括硅化物区(A)和硅化物区(B)的线电极，所述硅化物区(A)和硅化物区(B)之一包括在硅化反应中用作扩散物种的金属M的硅化物(a)、包含与栅绝缘膜接触的硅化物层(C)的另一硅化物区，所述硅化物层(C)包括金属M的硅化物(b)，所述硅化物(b)具有比硅化物(a)更小的金属M的原子组份比、以及可以基本上防止金属M在所述硅化物(b)中扩散的掺杂剂。

公开(公告)号：CN100585876C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200680032238.6

申请日：2006-08-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 长谷卓

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545

Abstract: 由于当通过烧结金属/多晶硅结构形成全面硅化的栅电极时所得硅化物的成分根据栅极长度的改变而改变使元件特性不利地波动。元件特性还由于所得硅化物成分的元件到元件的不均匀性而波动。通过首先形成具有富金属成分的完全硅化物，在其上淀积Si层并烧结该组合结构，富金属硅化物中的金属扩散到Si层中，以便将Si层转化成硅化物。由此将整个结构转化成具有较小金属成分比率的完全硅化物。

公开(公告)号：CN101356639A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680050602.1

申请日：2006-12-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 长谷卓

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供一种通过采用具有均匀组分的栅电极可以防止功函数偏移和由于Vth的有效控制呈现良好工作特性的半导体器件。该半导体器件的特征在于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管、包括具有高介电系数的含Hf－的绝缘膜的栅绝缘膜、包括硅化物区(A)和硅化物区(B)的线电极，所述硅化物区(A)和硅化物区(B)之一包括在硅化反应中用作扩散物种的金属M的硅化物(a)、包含与栅绝缘膜接触的硅化物层(C)的另一硅化物区，所述硅化物层(C)包括金属M的硅化物(b)，所述硅化物(b)具有比硅化物(a)更小的金属M的原子组份比、以及可以基本上防止金属M在所述硅化物(b)中扩散的掺杂剂。

公开(公告)号：CN101258605A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032238.6

申请日：2006-08-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 长谷卓

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545

Abstract: 由于当通过烧结金属/多晶硅结构形成全面硅化的栅电极时所得硅化物的成分根据栅极长度的改变而改变使元件特性不利地波动。元件特性还由于所得硅化物成分的元件到元件的不均匀性而波动。通过首先形成具有富金属成分的完全硅化物，在其上淀积Si层并烧结该组合结构，富金属硅化物中的金属扩散到Si层中，以便将Si层转化成硅化物。由此将整个结构转化成具有较小金属成分比率的完全硅化物。

公开(公告)号：CN1114577C

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN98120287.X

申请日：1998-10-14

Applicant: 日本电气株式会社 ,  辛姆特瑞克斯公司

Inventor： 长谷卓

IPC: C04B35/475 ,  H01L41/187 ,  B32B18/00

CPC classification number: H01L21/31691 ,  H01L28/56

Abstract: 在硅基片的表面上涂上一层作为下层电极的贵金属(Pt)，然后电极上由包含铋元素的氧化薄膜构成的缓冲层。在该缓冲层的表面上形成铋层结构的铁电物质的薄膜。这样，在低温度进行的结晶过程中，可以避免铋层结构的铁电物质与涂在硅基片上的贵金属之间发生反应。因此，可以抑制如此形成的薄膜中的构成成分逸出，以提供具有高密度的薄膜。