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公开(公告)号：CN1160796C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN99103447.3
申请日：1999-03-05
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/0891 , H01L29/7783
Abstract: 一种FET(场效应晶体管)具有包括Al0.2Ga0.8As栅接触层的外延晶片。通过外延生长，在栅接触层上依次形成掺杂有Si的GaAs栅掩埋层、掺杂有Si的Al0.2Ga0.8As宽凹槽停止层、未掺杂的GaAs层和掺杂有Si的GaAs帽盖层。电子累积层形成于未掺杂的GaAs层上，降低了势垒。从而可以使电子以高几率通过AlGaAs层的势垒。由于GaAs层未掺杂有杂质，所以电子几乎不散射，实现了高迁移率。因此，可以减小从帽盖层到沟道层的接触电阻。此外，由于栅接触层未暴露于外部，所以薄层电阻稍有增大。得到了低到1.4Ω·mm的导通电阻，该值比常规导通电阻小0.2Ω·mm。
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公开(公告)号：CN1115726C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN98124470.X
申请日：1998-11-09
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/0688
Abstract: 为了利用最少的制造步骤在衬底上形成有小电容的第一电容器和有大电容的第二电容器，同时形成第一电容器的至少一个电极和第二电容器的至少一个电极。
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公开(公告)号：CN1208964A
公开(公告)日：1999-02-24
申请号：CN98115145.0
申请日：1998-05-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L28/55
Abstract: 一种制造包括金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的半导体器件的方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一介质膜;在第一介质膜上形成MIM电容器;形成覆盖MIM电容器的第二介质膜;选择性除去第一和第二介质膜,暴露衬底表面;利用盐酸进行表面处理;在第二介质膜和衬底上形成第三介质膜;及在第三介质膜上形成晶体管。第二介质膜保护MIM电容器的电容绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1236998A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN99103447.3
申请日：1999-03-05
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/0891 , H01L29/7783
Abstract: 一种FET(场效应晶体管)具有包括Al0.2Ga0.8As栅接触层的外延晶片。通过外延生长,在栅接触层上依次形成掺杂有Si的GaAs栅掩埋层、掺杂有Si的Al0.2Ga0.8As宽凹槽停止层、未掺杂的GaAs层和掺杂有Si的GaAs帽盖层。电子累积层形成于未掺杂的GaAs层上,降低了势垒。从而可以使电子以高几率通过AlGaAs层的势垒。由于GaAs层未掺杂有杂质,所以电子几乎不散射,实现了高迁移率。因此,可以减小从帽盖层到沟道层的接触电阻。此外,由于栅接触层末暴露于外部,所以薄层电阻稍有增大。得到了低到1.4Ω.mm的导通电阻,该值比常规导通电阻小0.2Ω.mm。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1201262A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN98102322.3
申请日：1998-06-02
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L27/01 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种由螺旋电感、高介电系数薄膜电容、一通孔、以及一接合盘构成的无源元件电路。通过使用SrTiO3作为高介电系数薄膜,对20GHz的频率表现出介电系数为200,能使电容表面区域减少到在用SiNx(介电系数为6.5)时所需要面积的1/30。两个高介电系数薄膜电容、接地通孔和接合盘是设在螺旋电感所围的中心部分。为连接串联接合的两个高介电系数薄膜电容,它们形成在一高介电系数薄膜上。螺旋电感的引线是由来自中心的接合盘的一金属线构成的。
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公开(公告)号：CN1128476C
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN98102322.3
申请日：1998-06-02
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L27/01 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种单片微波集成电路，它包括：螺旋电感；螺旋电感的一开口，开口被设置为由螺旋电感围绕；螺旋电感的第一端；螺旋电感的第二端，第二端设置开口中；设置在开口中的接合盘；设置在开口中的高介电系数薄膜；设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第一高介电系数薄膜电容器，它的一端与接合盘连接，它的另一端与螺旋电感的第二端连接；以及设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第二高介电系数薄膜电容器，它的一端与第一高介电系数薄膜电容器的另一端和螺旋电感的所述第二端连接，它的另一端与地连接；第一高介电系数薄膜电容器和第二高介电系数薄膜电容器共用同一层高介电系数薄膜。
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