公开(公告)号：CN1236998A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99103447.3

申请日：1999-03-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 尾藤康则 ,  岩田直高

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/7783

Abstract: 一种FET(场效应晶体管)具有包括Al0.2Ga0.8As栅接触层的外延晶片。通过外延生长,在栅接触层上依次形成掺杂有Si的GaAs栅掩埋层、掺杂有Si的Al0.2Ga0.8As宽凹槽停止层、未掺杂的GaAs层和掺杂有Si的GaAs帽盖层。电子累积层形成于未掺杂的GaAs层上,降低了势垒。从而可以使电子以高几率通过AlGaAs层的势垒。由于GaAs层未掺杂有杂质,所以电子几乎不散射,实现了高迁移率。因此,可以减小从帽盖层到沟道层的接触电阻。此外,由于栅接触层末暴露于外部,所以薄层电阻稍有增大。得到了低到1.4Ω.mm的导通电阻,该值比常规导通电阻小0.2Ω.mm。

公开(公告)号：CN1160796C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN99103447.3

申请日：1999-03-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 尾藤康则 ,  岩田直高

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/7783

Abstract: 一种FET(场效应晶体管)具有包括Al0.2Ga0.8As栅接触层的外延晶片。通过外延生长，在栅接触层上依次形成掺杂有Si的GaAs栅掩埋层、掺杂有Si的Al0.2Ga0.8As宽凹槽停止层、未掺杂的GaAs层和掺杂有Si的GaAs帽盖层。电子累积层形成于未掺杂的GaAs层上，降低了势垒。从而可以使电子以高几率通过AlGaAs层的势垒。由于GaAs层未掺杂有杂质，所以电子几乎不散射，实现了高迁移率。因此，可以减小从帽盖层到沟道层的接触电阻。此外，由于栅接触层未暴露于外部，所以薄层电阻稍有增大。得到了低到1.4Ω·mm的导通电阻，该值比常规导通电阻小0.2Ω·mm。

公开(公告)号：CN1306311A

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：CN00136104.X

申请日：2000-12-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 尾藤康则 ,  安藤裕二

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7782

Abstract: 提供一种场效应晶体管,其具有可维持大的最大漏电流或低导通电阻,降低栅极正向偏置时的栅极漏电流,提高栅极正向上升电压的外延结构。通过在不掺杂In0.2Ga0.8As沟道层105和掺杂Si的Al0.2Ga0.8As上部电子供给层107之间配置膜厚3～10nm的不掺杂Al0.5Ga0.5As阻挡层106,在沟道正上方形成势垒。在正向栅极偏置时,与栅极接触下形成的势垒的高度变低,但沟道正上方形成的势垒的高度大致不变,起到对沟道内的电子有效阻挡的作用。