公开(公告)号：CN1128476C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN98102322.3

申请日：1998-06-02

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山口佳子 ,  岩田直高

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L27/01 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种单片微波集成电路，它包括：螺旋电感；螺旋电感的一开口，开口被设置为由螺旋电感围绕；螺旋电感的第一端；螺旋电感的第二端，第二端设置开口中；设置在开口中的接合盘；设置在开口中的高介电系数薄膜；设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第一高介电系数薄膜电容器，它的一端与接合盘连接，它的另一端与螺旋电感的第二端连接；以及设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第二高介电系数薄膜电容器，它的一端与第一高介电系数薄膜电容器的另一端和螺旋电感的所述第二端连接，它的另一端与地连接；第一高介电系数薄膜电容器和第二高介电系数薄膜电容器共用同一层高介电系数薄膜。

公开(公告)号：CN1106067C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN98102218.9

申请日：1998-06-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山口佳子 ,  岩田直高

IPC: H03G1/04 ,  H03F1/32

CPC classification number: H03H7/38

Abstract: 一种由串联电感、并联电容器，漏极偏压电路及隔直电容器构成的匹配电路。并联电容器的电容量依赖于偏置电压。通过在匹配电路中使用此电容器，当输出功率增大时可以改变匹配状态，由此，当输出功率增大时，匹配状态从注重输出功率状态可以变化为注重低失真状态。

公开(公告)号：CN1204890A

公开(公告)日：1999-01-13

申请号：CN98102218.9

申请日：1998-06-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山口佳子 ,  岩田直高

IPC: H03G1/04

CPC classification number: H03H7/38

Abstract: 一种由串联电感、并联电容器,漏极偏压电路及隔直电容器构成的匹配电路。并联电容器的电容量依赖于偏置电压。通过在匹配电路中使用此电容器,当输出功率增大时可以改变匹配状态,由此,当输出功率增大时,匹配状态从注重输出功率状态可以变化为注重低失真状态。

公开(公告)号：CN1201262A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98102322.3

申请日：1998-06-02

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山口佳子 ,  岩田直高

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L27/01 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种由螺旋电感、高介电系数薄膜电容、一通孔、以及一接合盘构成的无源元件电路。通过使用SrTiO3作为高介电系数薄膜,对20GHz的频率表现出介电系数为200,能使电容表面区域减少到在用SiNx(介电系数为6.5)时所需要面积的1/30。两个高介电系数薄膜电容、接地通孔和接合盘是设在螺旋电感所围的中心部分。为连接串联接合的两个高介电系数薄膜电容,它们形成在一高介电系数薄膜上。螺旋电感的引线是由来自中心的接合盘的一金属线构成的。