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公开(公告)号：CN116830260A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202280011700.3
申请日：2022-01-27
Applicant: 日本发条株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明得到一种电路基板以及制造方法，其能够进一步提高通过焊料安装在转用超声波接合技术而与电路图案接合的追加的金属层的半导体芯片等电子部件的散热性。该电路基板(1)，其在基板(5)上具有电路图案(3)，且在电路图案(3)之上层叠并接合有追加的金属层(9)，追加的金属层(9)具备：安装面部(13)，其通过焊料固定半导体芯片(11)；以及卡合凹凸部(17)，其与安装面部(13)邻接设置，并使振动传递用工具的工具凹凸部卡合，该振动传递用工具用于通过超声波振动使追加的金属层(9)接合在电路图案(3)之上，安装面部(13)由凹凸比卡合凹凸部(17)小的面构成。
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公开(公告)号：CN102985390B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201180033843.6
申请日：2011-07-13
Applicant: 日本发条株式会社
IPC: G01R1/067 , C04B35/583 , C04B35/20 , G01R1/073
CPC classification number: C04B35/583 , C04B35/20 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/386 , C04B2235/5292 , C04B2235/656 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/787 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , G01R1/06722 , G01R3/00 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明涉及一种作为包含顽辉石和氮化硼作为构成充分且氮化硼单向地取向的烧结体的陶瓷构件、使用陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。陶瓷构件的取向度指数为0.8以上。由此，能够提供一种具有易切削性、接近硅的热膨胀系数及高强度的陶瓷构件、使用该陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。
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公开(公告)号：CN102985390A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180033843.6
申请日：2011-07-13
Applicant: 日本发条株式会社
IPC: C04B35/583 , C04B35/20 , G01R1/067 , G01R1/073
CPC classification number: C04B35/583 , C04B35/20 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/386 , C04B2235/5292 , C04B2235/656 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/787 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , G01R1/06722 , G01R3/00 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明涉及一种作为包含顽辉石和氮化硼作为构成充分且氮化硼单向地取向的烧结体的陶瓷构件、使用陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。陶瓷构件的取向度指数为0.8以上。由此，能够提供一种具有易切削性、接近硅的热膨胀系数及高强度的陶瓷构件、使用该陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111937140A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980024291.9
申请日：2019-03-29
Applicant: 日本发条株式会社
IPC: H01L23/36 , C01F7/02 , C04B35/626 , C04B35/628 , C08K3/28 , C08L101/00 , H01B3/30 , H01L23/12 , H01L23/373 , H05K1/05
Abstract: 提供导热性复合粒子，其具备包含无机粒子的芯部、以及包含氮化物粒子且包覆上述芯部的外壳部。该导热性复合粒子为烧结体。
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公开(公告)号：CN109791911A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780060021.4
申请日：2017-06-13
Applicant: 日本发条株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32724 , C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01J37/3222 , H01J37/3411 , H01J2237/3321 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/683 , H01L21/6833 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供用于精密控制基板温度的载置台及其制作方法。或者，提供具有该载置台的成膜装置或膜加工装置。本发明提供用于载置基板的载置台，该载置台具有基材、和基材上的加热器层，加热器层具有第一绝缘膜、第一绝缘膜上的加热器线、和加热器线上的第二绝缘膜，加热器线含有一种以上选自钨、镍、铬、钴及钼中的金属。
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公开(公告)号：CN118922922A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380027414.0
申请日：2023-03-07
Abstract: 本发明提供一种层叠体的制造方法，其中即便在使用发热量大的电子零件的情况下也可维持电子零件与电路图案的稳定的接合性并抑制在绝缘层中产生的不良情况。一种层叠体(1)的制造方法，所述层叠体(1)依次层叠有基底基板(2)、绝缘层(3)、电路图案(4)、以及电子零件(5)，所述层叠体(1)的制造方法包括：在基底基板(2)的表面侧设置绝缘层(3)的工序；在电路图案(4)的表面侧设置电子零件(5)的工序；以及将设置于基底基板(2)的绝缘层(3)与设置有电子零件(5)的电路图案(4)层叠的工序。
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公开(公告)号：CN101946183B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN200980105563.4
申请日：2009-02-26
Applicant: 日本发条株式会社
CPC classification number: G01R1/07378 , G01R31/2889 , H05K3/4605 , H05K3/467 , H05K2201/068
Abstract: 本发明提供一种能够进行微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。为了此种目的，具备：配线基板，其具有热膨胀系数为3.0×10-6～5.0×10-6/℃的陶瓷基板和层叠在陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线片；探针头，其使导电性的多个探针对应于薄膜配线片的配线配置，并且在使各探针的两端露出的状态下以防脱落的方式分别对各探针进行保持，在使各探针的一端与薄膜配线片接触的状态下层叠在所述配线基板上。
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公开(公告)号：CN101946183A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105563.4
申请日：2009-02-26
Applicant: 日本发条株式会社
CPC classification number: G01R1/07378 , G01R31/2889 , H05K3/4605 , H05K3/467 , H05K2201/068
Abstract: 本发明提供一种能够进行微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。为了此种目的，具备：配线基板，其具有热膨胀系数为3.0×10-6～5.0×10-6/℃的陶瓷基板和层叠在陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线板；探针头，其使导电性的多个探针对应于薄膜配线板的配线配置，并且在使各探针的两端露出的状态下以防脱落的方式分别对各探针进行保持，在使各探针的一端与薄膜配线板接触的状态下层叠在所述配线基板上。
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