公开(公告)号：CN112514540B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201980047802.9

申请日：2019-07-17

Applicant: 日本发条株式会社 ,  株式会社泉科技

Inventor： 花待年彦 ,  诸田修平 ,  高原刚 ,  泷本优 ,  横山响 ,  光田拓史 ,  荒木良仁 ,  味泽贤吾

IPC: H05H1/24 ,  C23C28/04 ,  C25D11/04 ,  C25D11/12 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065 ,  C25D11/00

Abstract: 本发明的等离子体处理装置用部件包括：铝基材；以及氧化被膜，其形成在铝基材上，具有多孔质结构，其中，氧化被膜包括：第一氧化被膜，其形成在铝基材的表面上，第二氧化被膜，其形成在第一氧化被膜的与铝基材侧相反的一侧，以及第三氧化被膜，其形成在第二氧化被膜的与第一氧化被膜侧相反的一侧，第一氧化被膜比第二氧化被膜及第三氧化被膜硬，在第一氧化被膜、第二氧化被膜和第三氧化被膜的各被膜中形成的孔被封孔。

公开(公告)号：CN112514540A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980047802.9

申请日：2019-07-17

Applicant: 日本发条株式会社 ,  株式会社泉科技

Inventor： 花待年彦 ,  诸田修平 ,  高原刚 ,  泷本优 ,  横山响 ,  光田拓史 ,  荒木良仁 ,  味泽贤吾

IPC: H05H1/24 ,  C23C28/04 ,  C25D11/04 ,  C25D11/12 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065 ,  C25D11/00

Abstract: 本发明的等离子体处理装置用部件包括：铝基材；以及氧化被膜，其形成在铝基材上，具有多孔质结构，其中，氧化被膜包括：第一氧化被膜，其形成在铝基材的表面上，第二氧化被膜，其形成在第一氧化被膜的与铝基材侧相反的一侧，以及第三氧化被膜，其形成在第二氧化被膜的与第一氧化被膜侧相反的一侧，第一氧化被膜比第二氧化被膜及第三氧化被膜硬，在第一氧化被膜、第二氧化被膜和第三氧化被膜的各被膜中形成的孔被封孔。

公开(公告)号：CN109791911A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780060021.4

申请日：2017-06-13

Applicant: 日本发条株式会社

Inventor： 立川俊洋 ,  相川尚哉 ,  高原刚 ,  铃木恒平 ,  光田拓史

IPC: H01L21/683 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32724 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3411 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6833 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供用于精密控制基板温度的载置台及其制作方法。或者，提供具有该载置台的成膜装置或膜加工装置。本发明提供用于载置基板的载置台，该载置台具有基材、和基材上的加热器层，加热器层具有第一绝缘膜、第一绝缘膜上的加热器线、和加热器线上的第二绝缘膜，加热器线含有一种以上选自钨、镍、铬、钴及钼中的金属。