公开(公告)号：CN112992803A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110085896.8

申请日：2021-01-22

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  蔡宗唐 ,  王铭汉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/18 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一芯片、重布线层和缓冲层；第一芯片通过导电凸块固定设置在重布线层上；缓冲层设置于第一芯片和重布线层之间，缓冲层的材料的杨氏系数小于底部填充胶材料的杨氏系数。该半导体封装装置及其制造方法，能够在半导体封装装置出现翘曲时有效吸收第一芯片对重布线层线路的挤压作用，减小第一芯片对线路的压应力，有效防止线路断裂现象，提高封装产品的良率。

公开(公告)号：CN108072980B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201710417325.3

申请日：2017-06-06

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 蒋源峰 ,  蔡宗唐 ,  黄敏龙

IPC: G02B27/30

Abstract: 根据各种实施例，一种准直器包含衬底，所述衬底界定穿过所述衬底的多个通道。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面对置的第二表面。所述通道中的每一者包含从所述第一表面露出的第一孔隙、在所述第一表面与所述第二表面之间的第二孔隙，及从所述第二表面露出的第三孔隙。所述第一孔隙及所述第三孔隙大于所述第二孔隙。

公开(公告)号：CN108933118B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201711035190.0

申请日：2017-10-30

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 吕文隆 ,  蒋源峰 ,  蔡宗唐

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明揭示一种导通孔结构，其包含基底材料、第一介电层以及第二介电层。所述基底材料包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且界定至少一个通孔。所述第一介电层位在所述基底材料的所述第一表面上且包含梯度表面，其暴露在所述基底材料的所述通孔中。所述第二介电层位在第一介电层的所述梯度表面上。

公开(公告)号：CN108933118A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201711035190.0

申请日：2017-10-30

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 吕文隆 ,  蒋源峰 ,  蔡宗唐

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明揭示一种导通孔结构，其包含基底材料、第一介电层以及第二介电层。所述基底材料包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且界定至少一个通孔。所述第一介电层位在所述基底材料的所述第一表面上且包含梯度表面，其暴露在所述基底材料的所述通孔中。所述第二介电层位在第一介电层的所述梯度表面上。

公开(公告)号：CN108072980A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710417325.3

申请日：2017-06-06

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 蒋源峰 ,  蔡宗唐 ,  黄敏龙

IPC: G02B27/30

CPC classification number: G02B27/30 ,  G02B5/005 ,  G02B19/0066

Abstract: 根据各种实施例，一种准直器包含衬底，所述衬底界定穿过所述衬底的多个通道。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面对置的第二表面。所述通道中的每一者包含从所述第一表面露出的第一孔隙、在所述第一表面与所述第二表面之间的第二孔隙，及从所述第二表面露出的第三孔隙。所述第一孔隙及所述第三孔隙大于所述第二孔隙。

公开(公告)号：CN114695325A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011586881.1

申请日：2020-12-29

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  黄敏龙 ,  张皇贤 ,  蔡宗唐 ,  陈憬儒

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开涉及一种封装结构、组合件结构和其制造方法。所述封装结构包含布线结构、第一电子装置、第二电子装置和加固结构。所述布线结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层。所述至少一个电路层包含至少一个互连部分。所述第一电子装置和所述第二电子装置电连接到所述布线结构。所述第二电子装置通过所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分电连接到所述第一电子装置。所述加固结构安置在所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分上方。

公开(公告)号：CN113363239A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110212120.8

申请日：2021-02-25

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 王陈肇 ,  蔡宗唐 ,  黄志亿

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/66

Abstract: 提供一种封装结构和测试方法。所述封装结构包含布线结构、第一电子装置和第二电子装置。所述布线结构包含至少一个介电层、与所述介电层接触的至少一个导电电路层，以及与所述介电层接触的至少一个测试电路结构。所述测试电路结构安置成邻近于所述导电电路层的互连部分。所述第一电子装置电连接到所述布线结构。所述第二电子装置电连接到所述布线结构。所述第二电子装置经由所述导电电路层的所述互连部分电连接到所述第一电子装置。

公开(公告)号：CN111403602A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010004668.9

申请日：2020-01-03

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  张皇贤 ,  蔡宗唐 ,  涂宏荣

IPC: H01L49/02

Abstract: 一种垂直电容器结构包含衬底、至少一支柱、第一导电层、第一介电层和第二导电层。所述衬底界定腔。所述支柱位于所述腔中。所述第一导电层覆盖所述衬底的所述腔和所述支柱并与之共形，且与所述衬底绝缘。所述第一介电层覆盖所述第一导电层并与之共形。所述第二导电层覆盖所述第一介电层并与之共形。所述第一导电层、所述第一介电层和所述第二导电层共同形成电容器组件。