公开(公告)号：CN113130452A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011451626.6

申请日：2020-12-10

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 黄敏龙 ,  涂宏荣 ,  王信翔 ,  黄致玮 ,  林轩宇

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/49 ,  H01L23/528 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含第一半导体装置、第一导电层和第二导电层。所述第一半导体装置具有第一导电衬垫。所述第一导电层安置成与所述第一导电衬垫直接接触。所述第一导电层沿着与所述第一导电衬垫的表面大致上平行的方向延伸。所述第二导电层安置成与所述第一导电衬垫直接接触并且与所述第一导电层间隔开。

公开(公告)号：CN111403602A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010004668.9

申请日：2020-01-03

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  张皇贤 ,  蔡宗唐 ,  涂宏荣

IPC: H01L49/02

Abstract: 一种垂直电容器结构包含衬底、至少一支柱、第一导电层、第一介电层和第二导电层。所述衬底界定腔。所述支柱位于所述腔中。所述第一导电层覆盖所述衬底的所述腔和所述支柱并与之共形，且与所述衬底绝缘。所述第一介电层覆盖所述第一导电层并与之共形。所述第二导电层覆盖所述第一介电层并与之共形。所述第一导电层、所述第一介电层和所述第二导电层共同形成电容器组件。

公开(公告)号：CN112310026A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910983539.6

申请日：2019-10-16

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 黄敏龙 ,  涂宏荣 ,  王信翔

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置封装包含导电层、第一导电柱、电路层和第二导电柱。所述导电层具有第一表面。所述第一导电柱安置于所述导电层的所述第一表面上。所述电路层安置于所述导电层上。所述电路层具有面向所述导电层的第一表面。所述第二导电柱安置于所述电路层的所述第一表面上。所述第一导电柱与所述第二导电柱物理间隔开并且电连接到所述第二导电柱。

公开(公告)号：CN113571490A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110643687.0

申请日：2021-06-09

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 洪靖翔 ,  林轩宇 ,  涂宏荣

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：重布线(RDL)层，重布线层的上表面处具有焊盘，焊盘具有凹部；管芯，设置于重布线层上方；其中，管芯通过接合引线电连接至焊盘上，并且接合引线连接于焊盘的位置位于凹部外。

公开(公告)号：CN113299637A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202010675280.1

申请日：2020-07-14

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  李秋雯 ,  涂宏荣 ,  李长祺 ,  高金利

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含第一管芯、第二管芯和热耗散元件。所述第一管芯具有第一表面。所述第二管芯安置在所述第一表面上。所述热耗散元件安置在所述第一表面上。所述热耗散元件包含第一部分和第二部分，所述第一部分在基本上平行于所述第一表面的第一方向上延伸并且被所述第二管芯部分覆盖，所述第二部分在基本上垂直于所述第一表面的第二方向上延伸以邻近所述第二管芯的边缘。