公开(公告)号：CN112992803A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110085896.8

申请日：2021-01-22

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  蔡宗唐 ,  王铭汉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/18 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一芯片、重布线层和缓冲层；第一芯片通过导电凸块固定设置在重布线层上；缓冲层设置于第一芯片和重布线层之间，缓冲层的材料的杨氏系数小于底部填充胶材料的杨氏系数。该半导体封装装置及其制造方法，能够在半导体封装装置出现翘曲时有效吸收第一芯片对重布线层线路的挤压作用，减小第一芯片对线路的压应力，有效防止线路断裂现象，提高封装产品的良率。

公开(公告)号：CN113066790A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110294933.6

申请日：2021-03-19

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  张皇贤 ,  黄敏龙

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该一种半导体封装装置包括：重布线层，包括至少一层重布线线路；第一芯片和第二芯片，位于重布线层的上表面；第一芯片和第二芯片之间的重布线线路存在竖直方向上的高度变化。本公开的半导体封装装置及其制造方法增大了重布线线路的总长度和表面积，提高了重布线线路抵抗应力的能力，能够有效避免第一芯片和第二芯片之间的重布线线路发生断裂，进而提高产品良率。

公开(公告)号：CN119148835A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410757584.0

申请日：2024-06-13

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李宝男 ,  刘旭唐 ,  张育勋

IPC: G06F1/26

Abstract: 公开了一种电子装置。所述电子装置包含第一电子组件、第二电子组件和电路结构。所述电路结构由所述第一电子组件和所述第二电子组件支撑。所述电路结构将所述第一电子组件电连接到所述第二电子组件，且经配置以为所述第一电子组件和所述第二电子组件提供电力。

公开(公告)号：CN114050142A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111214562.2

申请日：2021-10-19

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  张皇贤

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01L21/48 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一重布线层；加强层，设置在第一重布线层上；第一电子元件，设置在加强层上并且通过第一连接线与第一重布线层电连接。该半导体封装装置及其制造方法能够避免在第一电子元件和第一重布线层之间设置填充材料，进而避免因填充材料受热膨胀引起的结构断裂，有利于提高产品良率。

公开(公告)号：CN115440689A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110607628.8

申请日：2021-06-01

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 何宜蓁 ,  刘旭唐 ,  吕文隆

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种接合结构及其形成方法。接合结构包括：第一线路层；第一接合金属层，设置在第一线路层上，并且具有第一接合表面；第一介电材料，覆盖第一接合金属层的部分上表面且暴露出第一接合表面，其中，第一介电材料提供第二接合表面，第二接合表面高于第一接合表面以与第一接合表面形成阶梯差。

公开(公告)号：CN113571475A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110643620.7

申请日：2021-06-09

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  张皇贤

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L21/50

Abstract: 本申请的实施例提供一种扇出封装结构，包括：线路层；第一芯片和第二芯片，位于所述线路层上；加强结构，位于所述线路层上，所述加强结构包围所述第一芯片和所述第二芯片的侧壁，所述加强结构具有图案化电路，所述图案化电路电连接至所述线路层。本发明的目的在于提供扇出封装结构及其形成方法，以提升扇出封装结构的性能。

公开(公告)号：CN114695325A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011586881.1

申请日：2020-12-29

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  黄敏龙 ,  张皇贤 ,  蔡宗唐 ,  陈憬儒

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开涉及一种封装结构、组合件结构和其制造方法。所述封装结构包含布线结构、第一电子装置、第二电子装置和加固结构。所述布线结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层。所述至少一个电路层包含至少一个互连部分。所述第一电子装置和所述第二电子装置电连接到所述布线结构。所述第二电子装置通过所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分电连接到所述第一电子装置。所述加固结构安置在所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分上方。

公开(公告)号：CN114334896A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111371750.6

申请日：2021-11-18

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  张皇贤

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装件的引线接合结构及其形成方法，该引线接合结构包括：重布线层；强化层，位于重布线层上；接合焊盘，位于强化层上；第一电子元件，位于重布线层上方，并且通过接合引线电连接至接合焊盘。

公开(公告)号：CN114334895A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111371674.9

申请日：2021-11-18

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  张皇贤

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装件的引线接合结构及其形成方法。该引线接合结构包括：重布线层；接合焊盘，位于重布线层上；电子元件，位于重布线层上并通过引线电连接至接合焊盘，其中引线与接合焊盘之间通过凸块金属相互连接；其中，重布线层包括伪焊盘，伪焊盘至少部分地位于凸块金属下方并位于凸块金属的垂直投影区内。

公开(公告)号：CN113299613A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110191191.4

申请日：2021-02-19

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘旭唐 ,  张皇贤 ,  杨疏涵

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装结构包含第一衬底、第二衬底、衬垫层以及导电接合层。所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第二衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第二衬底与所述第一衬底并排安置。所述衬垫层安置在所述第一衬底的所述第二表面和所述第二衬底的所述第二表面上。所述导电接合层安置在所述衬垫层与所述第一衬底和所述第二衬底的所述第二表面之间。