离子束线
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106469634B

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201610458165.2

    申请日:2016-06-22

    Abstract: 本发明涉及离子束线。在一个方面,公开了一种离子注入系统,所述离子注入系统包括:减速系统,其被构造成接收离子束并且以至少2的减速比将离子束减速;静电弯道,其设置在所述减速系统的下游,用于造成所述离子束偏转。所述静电弯道包括用于接收减速离子束的三个串联电极对,其中,各电极对具有分隔开以允许离子束从中通过的内部电极和外部电极。末端电极对的电极中的每个被保持在比中间电极对的任一个电极所保持的电位低的电位并且第一电极对的电极被保持在相对于中间电极对的电极的更低电位。

    离子束线
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106469634A

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201610458165.2

    申请日:2016-06-22

    CPC classification number: H01J37/3171 H01J37/12 H01J37/1477

    Abstract: 本发明涉及离子束线。在一个方面,公开了一种离子注入系统,所述离子注入系统包括:减速系统,其被构造成接收离子束并且以至少2的减速比将离子束减速;静电弯道,其设置在所述减速系统的下游,用于造成所述离子束偏转。所述静电弯道包括用于接收减速离子束的三个串联电极对,其中,各电极对具有分隔开以允许离子束从中通过的内部电极和外部电极。末端电极对的电极中的每个被保持在比中间电极对的任一个电极所保持的电位低的电位并且第一电极对的电极被保持在相对于中间电极对的电极的更低电位。

    离子束照射装置和离子束电流均匀化方法

    公开(公告)号:CN105609397A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201510569675.2

    申请日:2015-09-09

    Abstract: 本发明提供离子束照射装置(100)等,能够在短时间内且稳定性良好地进行束电流的均匀化。在实现离子束的均匀化的均匀控制步骤中,所述控制装置执行:权重系数计算步骤,计算作为各灯丝电流(IF)的变化对各束电流(IB)的变化的影响程度的权重系数;以及灯丝理论电流计算步骤,根据在所述权重系数计算步骤中得到的权重系数,计算用于使各束电流(IB)的值尽可能接近规定的目标电流值的各灯丝的理论电流值。

    离子源
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110504148A

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201811608893.2

    申请日:2018-12-27

    Inventor: 山元徹朗

    Abstract: 本发明提供一种离子源。利用形成有离子束引出用的长孔的碳构件,抑制剥离后的堆积物横跨长孔而致使引出的离子束的束电流量减少。离子源(IS)具有形成有离子束引出用的长孔(H)的碳构件(C),在长孔(H)的长边形成有切口(E)。

    离子源
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110504148B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN201811608893.2

    申请日:2018-12-27

    Inventor: 山元徹朗

    Abstract: 本发明提供一种离子源。利用形成有离子束引出用的长孔的碳构件,抑制剥离后的堆积物横跨长孔而致使引出的离子束的束电流量减少。离子源(IS)具有形成有离子束引出用的长孔(H)的碳构件(C),在长孔(H)的长边形成有切口(E)。

    离子源和离子注入装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110137063A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201811472876.0

    申请日:2018-12-04

    Inventor: 山元徹朗

    Abstract: 本发明提供离子源和离子注入装置,改善了带状束的束输送效率。离子源(1)包括:等离子体生成容器(11),在端部形成有束引出口(H);以及遮挡构件(13),封闭束引出口(H),在遮挡构件(13)上,沿相同方向形成有三个以上的长孔(13a),上述长孔(13a)在通过遮挡构件(13)引出的带状束的长度方向上长,各长孔(13a)的长度尺寸如下设置:配置在中央的长孔(13a)的长度尺寸比配置在端部的长孔(13a)的长度尺寸短。

    束电流密度分布调整装置和离子注入机

    公开(公告)号:CN107424892B

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201610860614.6

    申请日:2016-09-28

    Abstract: 本发明涉及束电流密度分布调整装置和离子注入机。提供了一种束电流密度分布调整装置。该装置包括在带状束的长侧方向上的构件对,所述构件对通过使用电场或磁场来调整在带状束的长侧方向上的束电流密度分布,所述构件对中的每一个构件对的构件被布置成使得带状束在所述构件中间。在带状束的长侧方向上彼此相邻的构件对的相对表面部分地不平行于带状束的行进方向。

    真空室和质量分析电磁铁
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106257616B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201610388025.2

    申请日:2016-06-02

    Abstract: 本发明提供真空室和质量分析电磁铁,能减小束电位导致的带状束的长度方向上的发散不均匀性。在构成带状束B的输送路径的真空室C中,当把通过真空室C内的带状束B的行进方向设为Z方向、把带状束B的长度方向设为Y方向、把与上述两方向垂直的方向设为X方向时,在Y方向上的真空室C的端部区域,越朝向真空室C的端部去,X方向上的真空室C的内部尺寸越小。

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