公开(公告)号：CN114188202A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110715711.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 后藤亮介 ,  小野田正敏 ,  中泽喜之

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种基板保持装置以及离子注入装置，能够抑制保持基板的支架变形。所述基板保持装置具备：保持基板的支架；与支架接合并规定支架的旋转轴的轴部件；以及支承轴部件的支架支承部件，通过使支架绕规定的旋转轴进行旋转动作而能够在倒伏位置与立起位置之间移动，支架具备：彼此分离地配置在旋转轴上的多个基板支承部件；以及将多个基板支承部件的一端部连结的第一连结部件，轴部件沿着所述旋转轴与各基板支承部件接合。

公开(公告)号：CN114188202B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202110715711.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 后藤亮介 ,  小野田正敏 ,  中泽喜之

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种基板保持装置以及离子注入装置，能够抑制保持基板的支架变形。所述基板保持装置具备：保持基板的支架；与支架接合并规定支架的旋转轴的轴部件；以及支承轴部件的支架支承部件，通过使支架绕规定的旋转轴进行旋转动作而能够在倒伏位置与立起位置之间移动，支架具备：彼此分离地配置在旋转轴上的多个基板支承部件；以及将多个基板支承部件的一端部连结的第一连结部件，轴部件沿着所述旋转轴与各基板支承部件接合。

公开(公告)号：CN112153761B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202010355827.X

申请日：2020-04-29

Applicant: 日新离子机器株式会社 ,  姫路理化股份有限公司

Inventor： 小野田正敏 ,  后藤亮介 ,  清水一男 ,  岸本康広

IPC: H05B3/02 ,  H05B3/44 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供加热装置，能够将加热器(30)插入真空腔室内并抑制由于电热丝(32)的光而端子部(33)被加热。一种加热装置，对基板(W)进行加热，具备收纳基板(W)的真空腔室(S2)以及插入真空腔室(S2)的内部的加热器(30)，加热器腔室(S2)的壁部设置；电热丝(32)，收纳在管状体(31)的内部，并且至少一部分配置在真空腔室(S2)内；以及端子部(33)，与电热丝(32)连接，端子部(33)配置在真空腔室(S2)的外部。(30)具有：管状体(31)，贯通配置基板(W)的真空

公开(公告)号：CN117790320A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310901126.5

申请日：2023-07-21

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 小野田正敏 ,  后藤亮介 ,  永尾友一 ,  宇井利昌

IPC: H01L21/425 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明涉及提供一种可降低形成显示器的TFT的氧化物半导体膜的电阻值的离子束照射装置及离子束照射方法。离子束照射装置设为在显示器面板的制造步骤中使用，且对于具有氧化物半导体膜的照射对象物(T)照射包含既定的离子的离子束，该离子束照射装置具备将照射对象物(T)加热的加热装置(30)，且构成为在加热装置(30)将照射对象物(T)加热之后，以使得至少一部分的离子可贯通氧化物半导体膜的方式照射离子束(IB)。

公开(公告)号：CN112153761A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010355827.X

申请日：2020-04-29

Applicant: 日新离子机器株式会社 ,  姫路理化股份有限公司

Inventor： 小野田正敏 ,  后藤亮介 ,  清水一男 ,  岸本康広

IPC: H05B3/02 ,  H05B3/44 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供加热装置，能够将加热器(30)插入真空腔室内并抑制由于电热丝(32)的光而端子部(33)被加热。一种加热装置，对基板(W)进行加热，具备收纳基板(W)的真空腔室(S2)以及插入真空腔室(S2)的内部的加热器(30)，加热器(30)具有：管状体(31)，贯通配置基板(W)的真空腔室(S2)的壁部设置；电热丝(32)，收纳在管状体(31)的内部，并且至少一部分配置在真空腔室(S2)内；以及端子部(33)，与电热丝(32)连接，端子部(33)配置在真空腔室(S2)的外部。

公开(公告)号：CN111413002A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201911059736.5

申请日：2019-11-01

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 后藤亮介 ,  小野田正敏

IPC: G01K7/02 ,  G01K7/16 ,  G01K1/14 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板温度测定装置和半导体制造装置，基板的种类不限，采用接触式温度计能准确地测定基板温度。在用于被热源(H)加热的基板(S)的温度测定的基板温度测定装置(M)中，包括：具有和基板(S)相同的热透过率的小片(1)；安装有小片(1)的主体(3)；以及与小片(1)在第一方向上分开并安装在主体(3)上的热吸收构件(2)，小片(1)具有在第一方向上和热吸收构件(2)重叠的重复区域(G)，以及和热吸收构件(2)不重叠的非重复区域，非重复区域曝露在热源(H)下，接触式温度计(5)安装在重复区域(G)中。