公开(公告)号：CN104969329A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007631.4

申请日：2014-01-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺地诚喜 ,  渡边太一 ,  西井洸人 ,  山本祐辅 ,  河村和典 ,  峯元高志 ,  贾卡潘·柴塔那

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03923 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜的制法、以及使用该CIGS膜的制法来制造抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池的方法。该用作CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜的形成具有下述工序：形成第1区域的工序，所述第1区域中，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；以及第2区域的工序，随着从该第1区域上至规定的第1厚度位置变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而具有形成第3区域的工序，所述第3区域为通过在上述第2区域上蒸镀Se和In，由此向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少。

公开(公告)号：CN104981890A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480008053.6

申请日：2014-01-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺地诚喜 ,  西井洸人 ,  渡边太一 ,  山本祐辅 ,  河村和典 ,  峯元高志 ,  贾卡潘·柴塔那

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜以及使用该CIGS膜来抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池。用作该CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜具有：第1区域，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；第2区域，随着从该第1区域上至规定的第1厚度位置为止变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而，在上述第2区域上具有向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域。

公开(公告)号：CN104981890B

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201480008053.6

申请日：2014-01-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺地诚喜 ,  西井洸人 ,  渡边太一 ,  山本祐辅 ,  河村和典 ,  峯元高志 ,  贾卡潘·柴塔那

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜以及使用该CIGS膜来抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池。用作该CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜具有：第1区域，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；第2区域，随着从该第1区域上至规定的第2厚度位置为止变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而，在上述第2区域上具有向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域。

公开(公告)号：CN104981913A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480006652.4

申请日：2014-01-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西井洸人 ,  渡边太一 ,  寺地诚喜 ,  河村和典 ,  峯元高志 ,  贾卡潘·柴塔那 ,  村田雅

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  C01B19/04 ,  C23C14/06 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明为了提供能够以低成本、再现性良好地制造转换效率优异的CIGS膜的CIGS膜的制法以及包括其的CIGS太阳能电池的制法，使CIGS膜的制法具有：层叠工序，将包含铟、镓和硒的层(A)以及包含铜和硒的层(B)以固相状态在超过250℃且400℃以下的加热状态下依次层叠在基板上；以及加热工序，对层叠有上述层(A)和层(B)的层叠体进一步加热，使上述层(B)的铜和硒的化合物熔融呈液相状态，由此使上述层(B)中的铜扩散到上述层(A)中，使晶体生长，从而得到CIGS膜。