公开(公告)号：CN104981913A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480006652.4

申请日：2014-01-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西井洸人 ,  渡边太一 ,  寺地诚喜 ,  河村和典 ,  峯元高志 ,  贾卡潘·柴塔那 ,  村田雅

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  C01B19/04 ,  C23C14/06 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明为了提供能够以低成本、再现性良好地制造转换效率优异的CIGS膜的CIGS膜的制法以及包括其的CIGS太阳能电池的制法，使CIGS膜的制法具有：层叠工序，将包含铟、镓和硒的层(A)以及包含铜和硒的层(B)以固相状态在超过250℃且400℃以下的加热状态下依次层叠在基板上；以及加热工序，对层叠有上述层(A)和层(B)的层叠体进一步加热，使上述层(B)的铜和硒的化合物熔融呈液相状态，由此使上述层(B)中的铜扩散到上述层(A)中，使晶体生长，从而得到CIGS膜。