公开(公告)号：CN118146734A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311630848.8

申请日：2023-12-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 入江瞳 ,  中浦宏

IPC: C09J7/30 ,  H01L21/683 ,  C09J133/00 ,  C09J11/04 ,  C09J161/06

Abstract: 本发明涉及粘接薄膜、切割芯片接合薄膜、以及光半导体装置。本发明的粘接薄膜粘接于光半导体元件而使用，包含热塑性树脂、热固性树脂、第1无机填充材料和第2无机填充材料，前述第1无机填充材料呈现白色～浅色，前述第2无机填充材料呈现深色～黑色，前述第1无机填充材料的含量C1相对于前述第2无机填充材料的含量C2之比CR(C1/C2)满足0

公开(公告)号：CN118256167A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311801665.8

申请日：2023-12-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  畠山义治 ,  入江瞳

IPC: C09J7/30 ,  H01L21/683 ,  C09J7/24 ,  C09J7/29 ,  C09J151/00 ,  C08F265/06 ,  C08F220/36

Abstract: 本发明提供在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中能够充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连的切割带。本发明所述的切割带具备基材和层叠在该基材上的粘合剂层，交替反复进行3次将前述切割带以500mm/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度为止的操作和将拉伸后的前述切割带复原的操作时，在第3次拉伸时测得的拉伸应力的值为7N/10mm以上。

公开(公告)号：CN119495663A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411076411.9

申请日：2024-08-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中浦宏 ,  入江瞳

IPC: H01L23/495

Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜和半导体装置。本发明所述的芯片接合薄膜是包含热固性树脂作为有机成分的芯片接合薄膜，在热固化后，150℃下的储能模量为200MPa以上，该芯片接合薄膜在被覆接合于镀银的铜引线框的状态下，在温度为85℃且相对湿度为60％RH的环境下暴露168小时后，在260℃下相对于前述镀银的铜引线框而言的剪切粘接力为3MPa以上。