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公开(公告)号：CN114958226B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210179145.7
申请日：2022-02-25
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J4/02 , C09J4/06 , C09J133/08 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提供一种光半导体元件密封用片，其光半导体元件的密封性优异，并且使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。光半导体元件密封用片(1)是用于将配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备基材部(2)和密封部(3)，所述密封部(3)设置在基材部(2)的一个面上。密封部(3)用于将光半导体元件(6)密封，具有辐射线非固化性粘合剂层(32)和辐射线固化性树脂层(31)。辐射线固化性树脂层(31)包含具有辐射线聚合性官能团的聚合物。
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公开(公告)号：CN116805638A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310287788.8
申请日：2023-03-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供不易产生色偏且不易引起外部光的漫反射的显示体。显示体具备基板、光半导体元件及将光半导体元件密封的密封树脂层。密封树脂层具备非着色层、着色层和非着色层。在通过光半导体元件(3a、3b)的重心的垂直面剖面中，通过垂线(PA)与非着色层(41)的正面侧界面间的交点和垂线(PC)同非着色层(41)的正面侧界面间的交点的直线不相对于基板表面平行，通过垂线(PA)与着色层(42)的正面侧界面间的交点和垂线(PC)与着色层(42)的正面侧界面间的交点的直线不相对于基板表面平行，通过垂线(PA)与非着色层(43)的正面侧界面间的交点和垂线(PC)与非着色层(43)的正面侧界面间的交点的直线相对于基板表面平行。
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公开(公告)号：CN115678442A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210882688.5
申请日：2022-07-26
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供光固化性粘合片，其能够适宜地用作迷你/微型LED显示装置等自发光型显示装置的密封材料，再加工性优异，且在自发光型显示装置的使用环境下不易产生密封材料的剥离。本发明提供光固化性粘合片(10)。光固化性粘合片(10)包含通过辐射线照射而固化的粘合剂层(1)。粘合剂层(1)的特征在于，高压汞灯照射后的180°剥离力为11N/20mm以下。
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公开(公告)号：CN113755106A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110612742.X
申请日：2021-06-02
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/29 , C09J7/38 , C09J133/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体加工用压敏粘合片。提供一种在不降低成品率的情况下适当地保护半导体晶片的半导体加工用压敏粘合片。半导体加工用压敏粘合片包括压敏粘合剂层和基材。该半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中示出翘曲量为0mm～5mm，并且在外周肋晶片挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。
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公开(公告)号：CN113185930A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110134924.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J133/08
Abstract: 本发明提供一种遮蔽材料，其在供于切割工序时不易产生切削屑，并且在切割时难以剥离但在切割后可轻易剥离。本发明的遮蔽材料具备基材和由活性能量射线固化型粘合剂形成的粘合剂层。该活性能量射线固化型粘合剂的基础聚合物是将包含5摩尔％～20摩尔％(甲基)丙烯酸系单体的单体组合物进行聚合而得到的聚合物，所述(甲基)丙烯酸系单体具有选自由甲基和乙基组成的组中的至少1种烷基。将该遮蔽材料粘贴于硅晶圆并照射活性能量射线，在使粘合剂层发生固化的状态下切割遮蔽材料和硅晶圆后的粘合剂层的切割切断面的表面粗糙度Sa为3μm以下。
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公开(公告)号：CN112778921A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011171730.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J175/14 , C09J133/04 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/04 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，前述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，前述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的前述基材层的弹性模量与前述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm2以下。
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公开(公告)号：CN112778924B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202011215663.7
申请日：2020-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。提供一种切割带等，所述切割带具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，前述基材层的由差示扫描量热测定结果算出的体积结晶度为20J/cm3以上且120J/cm3以下，并且，前述基材层的厚度为80μm以上。
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公开(公告)号：CN115863522B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202211665044.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/56 , H01L33/58 , H01L25/075
Abstract: 提供光扩散性优异、且光取出效率优异的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片，其具备具有光扩散层和防反射层的密封部(2)。光半导体元件密封用片(1)在将功能层层叠于片(1)的单面的状态下，从前述功能层侧进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*1、a*1、b*1、从片(1)侧进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*2、a*2、b*2分别为满足下述式(1)～(3)的值。‑5
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公开(公告)号：CN114958225A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210179140.4
申请日：2022-02-25
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J4/02 , C09J4/06 , C09J133/08 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提供一种光半导体元件密封用片，其光半导体元件的密封性优异，并且使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。光半导体元件密封用片(1)是用于将配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备基材部(2)和密封部(3)，所述密封部(3)设置在基材部(2)的一个面上。密封部(3)用于将光半导体元件(6)密封，密封部(3)具有辐射线非固化性粘合剂层(32)和层叠在辐射线非固化性粘合剂层(32)上的辐射线固化性树脂层(31)。辐射线非固化性粘合剂层(32)在将光半导体元件(6)密封时位于光半导体元件(6)侧的表面。
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