一种包覆燃料颗粒检测设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119354824A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411456770.7

    申请日:2024-10-17

    Abstract: 本发明公开了一种包覆燃料颗粒检测设备,包括:缓存组件,包括:缓存台安装底板;两个缓存台安装侧板;两个滑轨,安装于两个缓存台安装侧板顶部的左右两侧;第一平移气缸和第二平移气缸,分别安装于两个缓存台安装侧板的侧部和顶部;两个升降气缸,分别安装于一个滑轨和第一平移气缸;第一料盘安装板,安装在两个升降气缸上;第二料盘安装板,安装在第二平移气缸和一个滑轨上;机械手搬运组件,适于将金相样品搬运到图像采集组件处;图像采集组件,适于采集金相样品的金相截面图像,以检测金相样品中的各个包覆燃料颗粒的包覆层厚度或者致密热解炭层的光学各向异性。本发明能实现对包覆燃料颗粒的包覆层厚度或光学各向异性的全自动化检测。

    悬架弹簧点云数据去噪方法、装置及计算设备

    公开(公告)号:CN119273579A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411460427.X

    申请日:2024-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种悬架弹簧点云数据去噪方法、装置及计算设备,方法包括:获取三维传感器采集的悬架弹簧的第一点云数据;基于第一点云数据中各个数据点的点云半径邻域,确定第一点云数据中各个数据点的法向量;利用区域生长算法将第一点云数据中的第一层噪声数据点删除,得到第二点云数据,第一层噪声数据点包括与近邻点之间的法向量差值大于第一阈值的各个数据点;利用聚类算法将第二点云数据中的第二层噪声数据点删除,得到正常数据点集合,以便基于正常数据点集合对悬架弹簧进行三维测量,第二层噪声数据点包括与正常数据点的聚类标签值不一致的各个数据点。本发明能够有效滤除悬架弹簧点云数据中的噪声,进而提高对悬架弹簧的三维测量精度。

    芯片背面检测方法、装置、计算设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117173112A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311034255.5

    申请日:2023-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种芯片背面检测方法、装置、计算设备及存储介质,涉及视觉检测技术领域。方法包括:获取晶圆的宏观图像,根据所述宏观图像对晶圆的微观成像位置进行路径规划,得到路径规划坐标;根据所述路径规划坐标来控制微观成像设备采集晶圆的微观图像,所述晶圆上包括多个芯片;对所述微观图像进行分割,以得到多个芯片背面图像;根据每个所述芯片背面图像进行检测,以确定每个芯片背面的缺陷类型和缺陷位置,得到每个芯片的背面检测结果;根据所有芯片的背面检测结果,绘制生成晶圆Map图像。根据本发明的技术方案,实现了自动化微观成像,提高了对芯片背面进行缺陷检测的精度和效率,通过生成Map图像实现检测结果的可视化。

    工件内孔轮廓的椭圆检测方法、计算设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116630266A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310587590.1

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 本发明公开了一种工件内孔轮廓的椭圆检测方法、计算设备及存储介质,方法包括:基于预定角度步长,从工件的内孔图像上获取内孔轮廓点集合;从内孔轮廓点集合中随机获取预定数量个轮廓点;判断任意两个轮廓点之间的距离是否大于第一距离阈值;如果是,则基于预定数量个轮廓点拟合形成初始椭圆;从内孔轮廓点集合中随机获取下一个轮廓点,判断下一个轮廓点到初始椭圆的距离是否小于第二距离阈值;如果是,则确定内孔轮廓点集合中到初始椭圆的距离小于第二距离阈值的所有目标轮廓点的目标覆盖角度值;判断目标覆盖角度值是否大于第一覆盖角度阈值,如果是,则根据初始椭圆得到椭圆参数。根据本发明的技术方案,有利于提高椭圆检测效率和精度。

    一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置

    公开(公告)号:CN115513043A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211262662.7

    申请日:2022-10-14

    Abstract: 本发明公开了一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置,其中,碳化硅晶锭包括待剥离的晶片层、改质层和碳化硅基板,且改质层位于晶片层和碳化硅基板之间。本发明的从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法包括:通过超声振动向碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体,待液体充满改质层后,对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理,直至液体结冰使改质层膨胀断裂,晶片层与碳化硅基板分离,接着对分离后的晶片层进行磨削,得到晶片。本发明能够降低碳化硅晶片剥离时的材料损耗,从而可以有效提高碳化硅晶锭的利用率,并且本发明还能提高加工效率、降低制造成本。

    一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置

    公开(公告)号:CN115513043B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202211262662.7

    申请日:2022-10-14

    Abstract: 本发明公开了一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置,其中,碳化硅晶锭包括待剥离的晶片层、改质层和碳化硅基板,且改质层位于晶片层和碳化硅基板之间。本发明的从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法包括:通过超声振动向碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体,待液体充满改质层后,对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理,直至液体结冰使改质层膨胀断裂,晶片层与碳化硅基板分离,接着对分离后的晶片层进行磨削,得到晶片。本发明能够降低碳化硅晶片剥离时的材料损耗,从而可以有效提高碳化硅晶锭的利用率,并且本发明还能提高加工效率、降低制造成本。

    一种粗糙度测量系统及方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119085544A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411393938.4

    申请日:2024-10-08

    Abstract: 本发明公开了一种粗糙度测量系统及方法,其中,粗糙度测量系统包括:旋转位移组件、光源发射器、分光镜、图像采集器和图像处理器;分光镜布置在沿着光源发射器所发射的激光光轴方向的第一位置;旋转位移组件和图像采集器分别固定在第一位置两侧的第二位置和第三位置,第一位置、第二位置和第三位置同轴设置,且第一位置、第二位置和第三位置的连线与激光的光轴垂直;待测物体容置在旋转位移组件上,且待测物体的待测表面面向所述图像采集器;分光镜可将激光垂直反射至待测表面,并将从待测表面反射的反射光透射至所述图像采集器;图像处理器适于从图像数据中提取与粗糙度相关的关联特征,从而计算出待测表面的粗糙度值。

    位姿标定方法、系统及计算设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117911529A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410020486.9

    申请日:2024-01-05

    Abstract: 本发明公开了一种位姿标定方法、系统及计算设备,方法包括:采集棋盘格标定板的第一图像数据、第一激光距离数据;从多个姿态采集棋盘格标定板的第二图像数据、第二激光距离数据;基于第一图像数据确定面阵相机内参;建立面阵相机坐标系、棋盘格标定板坐标系,确定激光测距传感器的直线方程;基于面阵相机内参、棋盘格标定板的图像数据确定面阵相机外参,并确定面阵相机坐标系下的激光光斑坐标集;获取棋盘格标定板的多组坐标与距离对应数据;基于激光光斑坐标集拟合形成空间直线并将其方向向量确定为激光测距传感器的光轴方向向量值,进而确定激光测距传感器的原点坐标值。本发明能够提高激光测距传感器与面阵相机之间空间位姿关系的标定效率。

    一种转台结构
    10.
    发明公开
    一种转台结构 审中-实审

    公开(公告)号:CN116276155A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310193328.9

    申请日:2023-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种转台结构,包括:基体、设置在基体上的转台部和驱动部;其中,转台部,包括固定轴、主轴轴承和台面,固定轴的一端与基体固定连接,主轴轴承套接在固定轴远离基体一端,台面上设置有通孔,台面通过通孔套接在主轴轴承上;驱动部,包括电机、传动杆、同步带和带轮,带轮通过传动杆与电机连接,同步带分别缠绕带轮和台面。该转台结构,利用转台部实现转台结构的回转,通过驱动部分实现转台结构的往复运动,减小了零件加工要求,降低了加工成本。

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