公开(公告)号：CN118884764B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410625570.3

申请日：2024-05-20

Applicant: 无锡学院

Inventor： 曹悦 ,  陈嘉俊 ,  江承瀚 ,  蒋清权 ,  黄瑞 ,  赵东 ,  郭业才

IPC: G02F1/313 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225 ,  G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明提供了一种纳米金粒子掩埋的混合集成M‑Z型模式全光开关芯片，包括衬底层，所述衬底层上设有MZI型波导，所述MZI型波导外部生长有将其包覆且折射率低于所述MZI型波导的上包层；所述MZI型波导为双通道输入MZI型光波导结构，所述双通道输入MZI型光波导结构中部设有用于相位调制的纳米金粒子掩埋层，所述纳米金粒子掩埋层为由纳米金粒子分散在聚合物中形成。本发明通过纳米金粒子掩埋层结构及其纳米金粒子的光热效应，降低了光开关器件的功耗，更高的光激发效率，实现光开关的调控；与传统热光开关相比，省略了电极结构，开关响应速度更快，易于与光芯片系统集成。

公开(公告)号：CN118884764A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410625570.3

申请日：2024-05-20

Applicant: 无锡学院

Inventor： 曹悦 ,  陈嘉俊 ,  江承瀚 ,  蒋清权 ,  黄瑞 ,  赵东 ,  郭业才

IPC: G02F1/313 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225 ,  G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明提供了一种纳米金粒子掩埋的混合集成M‑Z型模式全光开关芯片，包括衬底层，所述衬底层上设有MZI型波导，所述MZI型波导外部生长有将其包覆且折射率低于所述MZI型波导的上包层；所述MZI型波导为双通道输入MZI型光波导结构，所述双通道输入MZI型光波导结构中部设有用于相位调制的纳米金粒子掩埋层，所述纳米金粒子掩埋层为由纳米金粒子分散在聚合物中形成。本发明通过纳米金粒子掩埋层结构及其纳米金粒子的光热效应，降低了光开关器件的功耗，更高的光激发效率，实现光开关的调控；与传统热光开关相比，省略了电极结构，开关响应速度更快，易于与光芯片系统集成。