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公开(公告)号：CN1188541C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN01137616.3
申请日：2001-09-26
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/515 , C23C14/325 , C23C14/545 , C23C16/517
Abstract: 一种电弧蒸发器，包括：阳极；作为阴极的蒸发源电极；以及用于产生穿过阳极和蒸发源电极的AC方波电弧电流的电流控制单元。
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公开(公告)号：CN1354275A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01137616.3
申请日：2001-09-26
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/515 , C23C14/325 , C23C14/545 , C23C16/517
Abstract: 一种电弧蒸发器,包括:阳极;作为阴极的蒸发源电极;以及用于产生穿过阳极和蒸发源电极的AC方波电弧电流的电流控制单元。
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公开(公告)号：CN1632160A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410098355.5
申请日：2001-09-26
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/515 , C23C14/325 , C23C14/545 , C23C16/517
Abstract: 一种电弧蒸发器，包括：阳极；作为阴极的蒸发源电极；以及用于产生穿过阳极和蒸发源电极的AC方波电弧电流的电流控制单元。
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公开(公告)号：CN101448969A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200680054700.2
申请日：2006-06-22
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/325 , C23C14/243
Abstract: 本发明提供能够恰当回收从真空电弧放电的阴极放出的蒸发物质的电弧蒸发源和真空蒸镀装置。电弧蒸发源(100)形成如下所述结构，即具备保持间隙(G)相互对置的第1和第2电极(14A、14B)，以第1和第2电极(14A、14B)中的至少任意一个电极作为阴极，基于阴极与所述以及之间发生的真空电弧放电，第1和第2电极(14A、14B)中的另一个电极能够回收从阴极放出的蒸发物质。
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公开(公告)号：CN101558185A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200880001091.3
申请日：2008-03-07
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/545
Abstract: 本发明的传感器安装结构(50)具备支持基体(21a)，利用流过其内部的冷却流体进行冷却的基体支架(6a)、检测与在基体(21a)上成膜相关的物理量(下述为成膜相关物理量)的传感器(55)、与传感器(55)形成一体，能够传递成膜相关物理量，而且将成膜相关物理量变换为传送信号的变换器(54)、将变换器(54)收容于其内部，而且使传感器(55)露出于其外部的容器(52)；将容器安装于基体支架(6a)上，而且使得能够利用冷却流体对容器(52)进行冷却。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1327083A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN01119272.0
申请日：2001-03-21
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: H01J37/32422 , C23C14/32 , H01J37/32706
Abstract: 在离子镀中,基片被容放在设置在真空腔内的基片座上,在真空腔内产生等离子体并形成薄膜,使用一个电源单元,通过基片座向真空腔内施加一个周期为1kHz～1GHz的偏电压,所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成,所述脉冲偏压成分对应于一个具有恒定正电压值并输出预定时间的脉冲输出。
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公开(公告)号：CN101558185B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200880001091.3
申请日：2008-03-07
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/545
Abstract: 本发明的传感器安装结构(50)具备支持基体(21a)，利用流过其内部的冷却流体进行冷却的基体支架(6a)、检测与在基体(21a)上成膜相关的物理量(下述为成膜相关物理量)的传感器(55)、与传感器(55)形成一体，能够传递成膜相关物理量，而且将成膜相关物理量变换为传送信号的变换器(54)、将变换器(54)收容于其内部，而且使传感器(55)露出于其外部的容器(52)；将容器安装于基体支架(6a)上，而且使得能够利用冷却流体对容器(52)进行冷却。
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公开(公告)号：CN101495665B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780027962.4
申请日：2007-07-18
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/32 , G11B7/266 , G11B11/10582
Abstract: 本发明的真空成膜装置(100)具备内部能够减压的真空槽(20)、在真空槽(20)内支持基板(11)的基板托架(12)、对基板托架(12)施加偏压的偏置电源(V1)、在真空槽内，配置在银中添加铋的反射膜用的材料的材料支架(15)、以及从材料支架(15)向基板放出材料，同时在材料放出时使所述材料离子化的材料放出手段，基于偏压使离子化的材料的动能增加，以在基板上堆积材料构成的反射膜，反射膜的反射率基于偏压以及铋的添加量进行调整。
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公开(公告)号：CN1701131B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480000795.0
申请日：2004-05-25
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/205 , B05D1/62 , B05D5/068 , C23C14/0036 , C23C14/0089 , C23C14/352 , C23C14/562 , C23C16/45557 , C23C16/509
Abstract: 本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压，使其产生反应模式的等离子体，使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又，调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力，产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体，使用该等离子体，使作为溅射靶的阴极(5)溅射，进行磁控溅射成膜。
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公开(公告)号：CN101495665A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780027962.4
申请日：2007-07-18
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/32 , G11B7/266 , G11B11/10582
Abstract: 本发明的真空成膜装置(100)具备内部能够减压的真空槽(20)、在真空槽(20)内支持基板(11)的基板托架(12)、对基板托架(12)施加偏压的偏置电源(V1)、在真空槽内，配置在银中添加铋的反射膜用的材料的材料支架(15)、以及从材料支架(15)向基板放出材料，同时在材料放出时使所述材料离子化的材料放出手段，基于偏压使离子化的材料的动能增加，以在基板上堆积材料构成的反射膜，反射膜的反射率基于偏压以及铋的添加量进行调整。
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