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公开(公告)号：CN107039387A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710012575.9
申请日：2017-01-09
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/49537 , H01L21/4821 , H01L23/293 , H01L23/3142 , H01L23/49548 , H01L23/49589 , H01L23/49861 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L23/49558
Abstract: 本发明提供一种引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。一种引线框架，其包括：第一引线框架，包括第一引线；第二引线框架，包括第二引线，所述第二引线接合到所述第一引线；以及树脂部，设置在所述第一引线框架与所述第二引线框架之间，其中，所述第一引线和所述第二引线各自包括埋置在所述树脂部中的埋置部、及从所述树脂部突出的突出部，所述第一引线的所述埋置部与所述第二引线的所述埋置部在所述树脂部中接合。
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公开(公告)号：CN107833871B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710832129.2
申请日：2017-09-15
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 一种引线框架，包括树脂部，其包括上表面和与上表面相对的下表面；第一端子，其形成为穿透树脂部。第一端子包括：第一上端子部，其被布置成从上表面突出；第一下端子部，其被布置在第一上端子部上，以从下表面突出；第一通孔，其形成在第一上端子部和第一下端子部中的一个中；第一凹部，其由第一通孔的内壁表面以及第一上端子部和第一下端子部中的另一个的表面所限定；以及第一金属层，其形成在第一凹部的内表面上。
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公开(公告)号：CN119725289A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411331513.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 提供一种能够容易地将凹部形成得较深的引线框架及引线框架的制造方法。引线框架具有：环状的框部，具有第一支承部；以及多个引线部，从所述第一支承部向所述框部的内侧延伸，所述框部和所述引线部具有第一面；以及第二面，位于与所述第一面相反的一侧，在所述第一支承部的所述第一面上形成有多个第一凹部，在各个所述引线部的所述第二面上形成有第二凹部。
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公开(公告)号：CN106449421B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201610625745.6
申请日：2016-08-02
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种能够提高焊接性的引线框、半导体装置以及引线框的制造方法。引线框包括密封条(15)以及通过密封条相互连接的多个引线(16)。各引线包括：内引线(17)，其位于密封条的一侧；以及外引线(18)，其位于密封条的另一侧。各内引线(17)包括：基端部(17B)，其靠近密封条；顶端部(17A)，其位于与基端部相反的一侧；以及中间部(20)，其连接顶端部和基端部，具有与顶端部不同的宽度。引线框进一步包括镀层(31)，该镀层覆盖顶端部的上表面以及侧面和中间部的侧面中的至少一部分。基端部的侧面全面以及密封条的侧面全面从镀层露出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107833871A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710832129.2
申请日：2017-09-15
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/3121 , H01L23/49558 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L23/49586 , H01L21/4821 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L23/49582
Abstract: 一种引线框架，包括树脂部，其包括上表面和与上表面相对的下表面；第一端子，其形成为穿透树脂部。第一端子包括：第一上端子部，其被布置成从上表面突出；第一下端子部，其被布置在第一上端子部上，以从下表面突出；第一通孔，其形成在第一上端子部和第一下端子部中的一个中；第一凹部，其由第一通孔的内壁表面以及第一上端子部和第一下端子部中的另一个的表面所限定；以及第一金属层，其形成在第一凹部的内表面上。
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公开(公告)号：CN107039387B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710012575.9
申请日：2017-01-09
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。一种引线框架，其包括：第一引线框架，包括第一引线；第二引线框架，包括第二引线，所述第二引线接合到所述第一引线；以及树脂部，设置在所述第一引线框架与所述第二引线框架之间，其中，所述第一引线和所述第二引线各自包括埋置在所述树脂部中的埋置部、及从所述树脂部突出的突出部，所述第一引线的所述埋置部与所述第二引线的所述埋置部在所述树脂部中接合。
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公开(公告)号：CN105720034B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510882130.7
申请日：2015-12-03
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495
Abstract: 提供一种半导体装置等，其端子部与树脂部的紧密性更高。该半导体装置包括具有端子部的引线框架、与上述端子部电连接的半导体芯片、以露出上述端子部的一部分的方式密封上述半导体芯片的树脂部，上述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构。在上述端子部的长边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向上述半导体芯片侧延伸，且，在上述端子部的短边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向两侧延伸，上述第2引线的底面的比上述第1引线的顶面更向外延伸的区域被上述树脂部覆盖。
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公开(公告)号：CN106449421A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610625745.6
申请日：2016-08-02
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
CPC classification number: H01L21/4821 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L23/49582 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种能够提高焊接性的引线框、半导体装置以及引线框的制造方法。引线框包括密封条(15)以及通过密封条相互连接的多个引线(16)。各引线包括：内引线(17)，其位于密封条的一侧；以及外引线(18)，其位于密封条的另一侧。各内引线(17)包括：基端部(17B)，其靠近密封条；顶端部(17A)，其位于与基端部相反的一侧；以及中间部(20)，其连接顶端部和基端部，具有与顶端部不同的宽度。引线框进一步包括镀层间部的侧面中的至少一部分。基端部的侧面全面以及密封条的侧面全面从镀层露出。(31)，该镀层覆盖顶端部的上表面以及侧面和中
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公开(公告)号：CN105720034A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510882130.7
申请日：2015-12-03
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495
Abstract: 提供一种半导体装置等，其端子部与树脂部的紧密性更高。该半导体装置包括具有端子部的引线框架、与上述端子部电连接的半导体芯片、以露出上述端子部的一部分的方式密封上述半导体芯片的树脂部，上述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构。在上述端子部的长边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向上述半导体芯片侧延伸，且，在上述端子部的短边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向两侧延伸，上述第2引线的底面的比上述第1引线的顶面更向外延伸的区域被上述树脂部覆盖。
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