公开(公告)号：CN119446940A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411577575.X

申请日：2024-11-06

Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司

Inventor： 王晓学 ,  熊可 ,  边旭明 ,  王飞 ,  王曦茂 ,  刘浩 ,  徐浩

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/538 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明公开了一种陶瓷SIP封装内多层基板堆叠互联方法和结构，所述方法包括：将第一层基板与一体化陶瓷管壳通过焊接方式或粘接方式进行连接；对焊接第一层基板后的陶瓷管壳进行裸芯片粘贴和键合；将第二层基板使用BGA焊球进行植球，然后在第一层基板顶部涂覆焊膏，并且在第二层基板无源器件焊盘上涂覆焊膏并放置无源器件，然后进行一体化焊接；对焊接第二层基板后的陶瓷管壳进行裸芯片粘贴和键合；对一体化陶瓷管壳与气密封装盖板通过平行缝焊工艺进行密封，在密封后的陶瓷管壳底部进行BGA植球得到SIP模块。本发明能够实现基于一体化陶瓷管壳的高集成度、高可靠性需求，显著降低基于陶瓷管壳的SIP封装的工艺实施难度，提升SIP封装的可靠性和成功率。

公开(公告)号：CN119582870A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411782386.6

申请日：2024-12-05

Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司

Inventor： 李翰祥 ,  王曦茂 ,  侯健宏 ,  周炼 ,  郭富维 ,  文超

IPC: H04B1/40

Abstract: 本发明公开了一种小型化X波段双通道收发前端模块，包括：两个链路相同的小信号变频单元，分别用于两个收发通道，将接收的X波段射频信号二次下变频至中频信号，将中频信号二次上变频至X波段射频信号输出给功率放大单元；两个链路相同的大功率放大单元，分别用于两个收发通道，将小信号变频单元输出的X波段射频信号放大输出；本振功分单元，用于将第一本振信号和第二本振信号功分后分别输入给两个链路相同的小信号变频单元；两个收发通道的小信号变频单元、大功率放大单元与本振功分单元整板集成，两个收发通道的小信号变频单元与大功率放大单元分区设置。本发明具有小型化、易生产、集成度高、有功率升级空间的优点。

公开(公告)号：CN119695434A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411881267.6

申请日：2024-12-19

Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司

Inventor： 闫玉凯 ,  王曦茂 ,  郭富维 ,  李翰祥

IPC: H01P5/08 ,  H01P5/10 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K1/14

Abstract: 本发明公开了一种宽带SIP三维互连传输结构，包括上板传输结构、下板传输结构和球阵列；上板传输结构包括共面波导、共面波导到类同轴匹配盘、第一类同轴、类同轴到球阵列匹配盘，下板传输结构包括球阵列到类同轴匹配盘、第二类同轴、类同轴到带状线匹配盘、带状线；球阵列包括中心的射频球和射频球周围阵列排布的接地球，第一和第二类同轴包括射频内芯和围绕射频内芯排布的接地孔，射频内芯与射频球对位焊接安装；球阵列到类同轴匹配盘和类同轴到球阵列匹配盘均包括中心焊盘、第二反焊盘和传输地，上下板传输结构通过中心焊盘与球阵列的射频球焊接，传输地之间通过球阵列的接地球焊接。本发明能够实现宽频带射频传输特性，提高电子设备的集成度。

公开(公告)号：CN119363044A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411488148.4

申请日：2024-10-24

Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司

Inventor： 王曦茂 ,  胡乂丹 ,  王晓学 ,  郭富维 ,  闫玉凯 ,  文超

IPC: H03D7/16 ,  H03H11/24 ,  H03H17/02 ,  H03F3/68 ,  G01S7/02 ,  G01S7/282 ,  G01S7/285 ,  G01S7/35

Abstract: 本发明公开了一种集成本振源的单通道变频SiP模组，包括陶瓷封装以及上层基板和下层基板，下层基板上设置变频链路，上层基板上设置锁相链路，变频链路包括第一放大器、数控衰减器、第一带通滤波器、混频器、第二带通滤波器、第二放大器、衰减器、第三放大器、第一低通滤波器，锁相链路包括第二低通滤波器、锁相环、第四放大器，输入的射频信号通过第一放大器、数控衰减器、第一带通滤波器后，与本振信号在混频器中混频产生中频信号，中频信号经过第二带通滤波器、第二放大器、衰减器、第三放大器、第一低通滤波器后输出，本振信号由输入的参考信号依次经过第二低通滤波器、锁相环、第四放大器产生。本发明能够满足小型化、多功能、低成本的需求。

公开(公告)号：CN119070749A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411558072.8

申请日：2024-11-04

Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司

Inventor： 郭富维 ,  王曦茂 ,  胡乂丹 ,  罗成斌

IPC: H03D7/16 ,  H03H11/24 ,  H03H11/34

Abstract: 本发明公开了一种多功能高隔离变频SiP，包括两个射频单元、两个中频单元、本振产生单元、电源与控制单元、功分器、两个混频器、上层锁相板和下层印制板；两个射频单元的输入端作为两个通道射频信号的输入端，两个中频单元的输出端作为两个通道中频信号的输出端，两个混频器将射频信号与本振信号混频产生中频信号送入两个中频单元；两个射频单元、两个中频单元、两个混频器布局在下层印制板的不同区域，本振产生单元、电源与控制单元布局在上层锁相板的不同区域，上下层之间通过设置BGA焊球实现层间电路的三维堆叠和信号的互联与隔离，上下层的不同区域之间通过设置BGA焊球实现分腔隔离。本发明能够实现变频SiP在小型化、高集成封装下的高隔离。