公开(公告)号：CN117940440A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061835.0

申请日：2022-07-08

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 李相禛 ,  柳忞汐 ,  韩相范 ,  金星哲 ,  金伦楷 ,  朴基振 ,  延蕊林 ,  赵诚实 ,  金焕洙 ,  崔中起

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明提供可用作将含硅材料气相沉积于微电子装置表面上的前体的某些硅基胺化合物。此类前体可与任选的共反应物一起使用以沉积含硅膜，诸如氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧碳氮化硅(SiOCN)、碳氮化硅(SiCN)及碳化硅。

公开(公告)号：CN118401698A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280082502.6

申请日：2022-12-15

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 柳忞汐 ,  李相禛 ,  金星哲 ,  延蕊林 ,  金伦楷 ,  朴基振

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C07F7/10

Abstract: 一些实施例涉及一种前体，包含用于气相沉积的前体。所述前体包含脂肪族烃和至少一个二硅烷氨基团。所述至少一个二硅烷氨基团连接至所述脂肪族烃。所述至少一个二硅烷氨基团不包含硅烷化物基团。一些实施例涉及一种制造所述前体的方法。所述方法包含使多元胺化合物与卤化硅烷化合物在碱存在下反应形成可用于气相沉积的前体。一些实施例涉及一种使用所述前体形成含硅膜的方法。

公开(公告)号：CN117980531A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280062185.1

申请日：2022-07-07

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 金伦楷 ,  赵诚实 ,  金焕洙 ,  朴基振

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C07F7/10 ,  C07F7/02

Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种在衬底上沉积硅前体的方法。所述方法包含：获得包含至少一个硅氧烷键的硅前体材料和获得至少一种共反应物前体材料。使所述硅前体材料挥发以获得硅前体蒸气。使所述至少一种共反应物前体材料挥发以获得至少一种共反应物前体蒸气。使所述硅前体蒸气和所述至少一种共反应物前体蒸气在足以在所述衬底的表面上形成含硅膜的化学气相沉积条件下与所述衬底接触。一些实施例涉及用于化学气相沉积的硅前体材料。