公开(公告)号：CN117940440A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061835.0

申请日：2022-07-08

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 李相禛 ,  柳忞汐 ,  韩相范 ,  金星哲 ,  金伦楷 ,  朴基振 ,  延蕊林 ,  赵诚实 ,  金焕洙 ,  崔中起

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明提供可用作将含硅材料气相沉积于微电子装置表面上的前体的某些硅基胺化合物。此类前体可与任选的共反应物一起使用以沉积含硅膜，诸如氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧碳氮化硅(SiOCN)、碳氮化硅(SiCN)及碳化硅。