公开(公告)号：CN103855112A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310652432.6

申请日：2013-12-05

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  拉杰什·蒂瓦里 ,  玛格丽特·西蒙斯-马修斯

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种具有带有变形保护尖端的穿衬底通孔的裸片及制作所述裸片的方法。穿衬底通孔TSV裸片(300)包含衬底(205)，所述衬底(205)具有顶侧半导体表面(207)及底侧表面(210)，所述顶侧半导体表面(207)在其中具有包含功能上连接的多个晶体管的有源电路(209)。多个TSV(216)从所述顶侧半导体表面延伸到从所述底侧表面突出的TSV尖端(217)，且包含由形成所述TSV的外边缘的电介质衬里(221)环绕的导电填充物材料的内金属芯(220)。无机电介质材料的尖端变形保护层(231a)横向于所述TSV尖端而在所述底侧表面上。所述无机电介质材料的弹性模数大于(>)所述导电填充物材料的弹性模数。包含聚合物的第二电介质层(231b)在所述尖端变形保护层上。

公开(公告)号：CN111406307B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN201880075876.9

申请日：2018-12-12

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 伊丽莎白·C·斯图尔特 ,  杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  托马斯·D·博尼菲尔德 ,  川杰圣 ,  拜伦·洛弗尔·威廉斯

IPC: H01L21/32

Abstract: 在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法(400)包含形成(405)具有至少六微米厚度的氧化物层且在所述氧化物层上沉积(410)光致抗蚀剂层。所述氧化物层在给定蚀刻剂的情况下具有第一蚀刻速率X，所述光致抗蚀剂层在所述给定蚀刻剂的情况下具有第二蚀刻速率Y，其中X:Y的比率小于4:1。在蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层之前，用灰度掩模图案化(415)所述光致抗蚀剂层，所述灰度掩模产生具有与水平线形成小于或等于10度的角度(a)的侧壁的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN111406307A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880075876.9

申请日：2018-12-12

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 伊丽莎白·C·斯图尔特 ,  杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  托马斯·D·博尼菲尔德 ,  川杰圣 ,  拜伦·洛弗尔·威廉斯

IPC: H01L21/32

Abstract: 在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法(400)包含形成(405)具有至少六微米厚度的氧化物层且在所述氧化物层上沉积(410)光致抗蚀剂层。所述氧化物层在给定蚀刻剂的情况下具有第一蚀刻速率X，所述光致抗蚀剂层在所述给定蚀刻剂的情况下具有第二蚀刻速率Y，其中X:Y的比率小于4:1。在蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层之前，用灰度掩模图案化(415)所述光致抗蚀剂层，所述灰度掩模产生具有与水平线形成小于或等于10度的角度(a)的侧壁的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN111316431A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072284.1

申请日：2018-12-12

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 托马斯·戴尔·博尼菲尔德 ,  杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  B·L·威廉斯

IPC: H01L23/485

Abstract: 本发明提供一种封装式多芯片装置，其包含具有隔离电容器的第一IC裸片(110)，所述隔离电容器使用顶部金属层作为其顶板(118)并且使用下部金属层作为其底板(119)。第二IC裸片(120)具有第二隔离电容器，所述第二隔离电容器使用其顶部金属层作为其顶板(128)并且使用下部金属层作为其底板(129)。第一接合线端(130a)耦合到一个顶板且第二接合线端(130b)耦合到另一顶板。第二接合线端(130b)包含针脚式接合(134)，所述针脚式接合(134)包含不正交于其接合到的所述顶板的线接近角并且放置成使得与所述针脚式接合的中心距与接合线交叉侧部相对的侧部的距离相比，所述针脚式接合的中心定位成离此顶板的在所述接合线交叉侧部上的边缘更远至少5％。

公开(公告)号：CN102915966B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201210276463.1

申请日：2012-08-03

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  玛格丽特·西蒙斯-马修斯 ,  雷蒙多·M·卡门福特

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成堆叠裸片装置的方法包含将第一半导体裸片附接到晶片上以形成经重组晶片，且接着将第二半导体裸片接合到所述第一半导体裸片上以在所述晶片上形成多个单一化堆叠裸片装置。将支撑带附接到所述第二半导体裸片的底侧。将切割带附接到所述晶片。在附接所述切割带之前或之后，在与所述第一半导体裸片之间的间隙对准的既定切割道处对所述晶片进行激光照射以在所述既定切割道处机械上削弱所述晶片，但不切穿所述晶片。牵拉所述切割带以将所述晶片分裂成多个单一化部分，以形成多个通过所述切割带附接到所述单一化晶片部分的单一化堆叠裸片装置。在分裂之前移除所述支撑带。

公开(公告)号：CN102915966A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210276463.1

申请日：2012-08-03

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  玛格丽特·西蒙斯-马修斯 ,  雷蒙多·M·卡门福特

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成堆叠裸片装置的方法包含将第一半导体裸片附接到晶片上以形成经重组晶片，且接着将第二半导体裸片接合到所述第一半导体裸片上以在所述晶片上形成多个单一化堆叠裸片装置。将支撑带附接到所述第二半导体裸片的底侧。将切割带附接到所述晶片。在附接所述切割带之前或之后，在与所述第一半导体裸片之间的间隙对准的既定切割道处对所述晶片进行激光照射以在所述既定切割道处机械上削弱所述晶片，但不切穿所述晶片。牵拉所述切割带以将所述晶片分裂成多个单一化部分，以形成多个通过所述切割带附接到所述单一化晶片部分的单一化堆叠裸片装置。在分裂之前移除所述支撑带。