公开(公告)号：CN103779335A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310492094.4

申请日：2013-10-18

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 拜伦·洛弗尔·威廉斯 ,  约翰·布里顿·罗宾斯

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01C7/006 ,  H01C7/06 ,  H01C17/075 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/647 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请案涉及高电阻薄膜电阻器及形成所述电阻器的方法。通过形成薄膜电阻器(850)以给一个或一个以上非导电沟槽(814/1426/1720)加衬来实质上增加所述薄膜电阻器(850)的电阻。通过给所述一个或一个以上非导电沟槽(814/1426/1720)加衬，增加了所述电阻器(850)的总长度，同时仍耗用与常规电阻器大致相同的表面积。

公开(公告)号：CN111406307B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN201880075876.9

申请日：2018-12-12

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 伊丽莎白·C·斯图尔特 ,  杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  托马斯·D·博尼菲尔德 ,  川杰圣 ,  拜伦·洛弗尔·威廉斯

IPC: H01L21/32

Abstract: 在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法(400)包含形成(405)具有至少六微米厚度的氧化物层且在所述氧化物层上沉积(410)光致抗蚀剂层。所述氧化物层在给定蚀刻剂的情况下具有第一蚀刻速率X，所述光致抗蚀剂层在所述给定蚀刻剂的情况下具有第二蚀刻速率Y，其中X:Y的比率小于4:1。在蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层之前，用灰度掩模图案化(415)所述光致抗蚀剂层，所述灰度掩模产生具有与水平线形成小于或等于10度的角度(a)的侧壁的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN111406307A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880075876.9

申请日：2018-12-12

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 伊丽莎白·C·斯图尔特 ,  杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  托马斯·D·博尼菲尔德 ,  川杰圣 ,  拜伦·洛弗尔·威廉斯

IPC: H01L21/32

Abstract: 在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法(400)包含形成(405)具有至少六微米厚度的氧化物层且在所述氧化物层上沉积(410)光致抗蚀剂层。所述氧化物层在给定蚀刻剂的情况下具有第一蚀刻速率X，所述光致抗蚀剂层在所述给定蚀刻剂的情况下具有第二蚀刻速率Y，其中X:Y的比率小于4:1。在蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层之前，用灰度掩模图案化(415)所述光致抗蚀剂层，所述灰度掩模产生具有与水平线形成小于或等于10度的角度(a)的侧壁的光致抗蚀剂层。