公开(公告)号：CN111406307B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN201880075876.9

申请日：2018-12-12

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 伊丽莎白·C·斯图尔特 ,  杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  托马斯·D·博尼菲尔德 ,  川杰圣 ,  拜伦·洛弗尔·威廉斯

IPC: H01L21/32

Abstract: 在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法(400)包含形成(405)具有至少六微米厚度的氧化物层且在所述氧化物层上沉积(410)光致抗蚀剂层。所述氧化物层在给定蚀刻剂的情况下具有第一蚀刻速率X，所述光致抗蚀剂层在所述给定蚀刻剂的情况下具有第二蚀刻速率Y，其中X:Y的比率小于4:1。在蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层之前，用灰度掩模图案化(415)所述光致抗蚀剂层，所述灰度掩模产生具有与水平线形成小于或等于10度的角度(a)的侧壁的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN111406307A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880075876.9

申请日：2018-12-12

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 伊丽莎白·C·斯图尔特 ,  杰弗里·艾伦·韦斯特 ,  托马斯·D·博尼菲尔德 ,  川杰圣 ,  拜伦·洛弗尔·威廉斯

IPC: H01L21/32

Abstract: 在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法(400)包含形成(405)具有至少六微米厚度的氧化物层且在所述氧化物层上沉积(410)光致抗蚀剂层。所述氧化物层在给定蚀刻剂的情况下具有第一蚀刻速率X，所述光致抗蚀剂层在所述给定蚀刻剂的情况下具有第二蚀刻速率Y，其中X:Y的比率小于4:1。在蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层之前，用灰度掩模图案化(415)所述光致抗蚀剂层，所述灰度掩模产生具有与水平线形成小于或等于10度的角度(a)的侧壁的光致抗蚀剂层。