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公开(公告)号：CN117810193A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311214653.5
申请日：2023-09-20
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/64 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了用于电流隔离器件的线键合部。一种微电子器件(100)包括电流隔离部件(102)，其具有：在基板(112)上方的下隔离元件(138)与连接到下隔离元件(138)的下键合焊盘(116)；在下隔离元件(138)上方的不延伸到下键合焊盘(116)的介电平台(118)；以及在介电平台(118)上方的上隔离元件(140)和上键合焊盘(122)。上键合焊盘(122)与下键合焊盘(116)横向分离隔离距离(142)。微电子器件(100)包括上键合焊盘(122)上的高电压线键合部(134)，其在竖直方向的10度内向上延伸大于隔离距离(142)的竖直距离(150)。微电子器件(100)进一步包括在下键合焊盘(116)上的低电压线键合部(132)，其具有直接在基板(112)的周边(120)上方的环高度(144)，该环高度小于低电压线键合部(132)的线直径(146)的5倍。
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公开(公告)号：CN107615493A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031278.2
申请日：2016-04-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L29/94
CPC classification number: H01L29/0646 , H01L21/265 , H01L21/761 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L27/0676 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2224/48463
Abstract: 对于集成电路，描述的示例包括绝缘体结构(20)，该绝缘体结构(20)具有平行的导电元件(28a/28b)，该平行的导电元件(28a/28b)形成电容器或电感变压器，该电容器或电感变压器在半导体结构的上方，该半导体结构包括形成于第二导电类型的槽区(31t)内的第一导电类型的阱区(32w)。槽区由第一导电类型的掺杂区(32c，34)和掩埋掺杂层(36)包围，形成与衬底串联的二极管。串联二极管的结电容具有减少绝缘体处的寄生电容的效果。
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公开(公告)号：CN107078168B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201580060054.X
申请日：2015-11-06
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 在所描述的高电压集成电路电容器的示例中，电容器结构(1000)包括半导体衬底(1010)；底板(1020)，其具有覆盖半导体衬底的导电层；沉积的电容器电介质层(1030)，其覆盖底板(1020)的至少一部分并且在第一区中具有大于约6μm的第一厚度；倾斜过渡区(1045)，其位于所述第一区的边缘处的电容器电介质中，倾斜过渡区具有从水平面倾斜大于5度的上表面，并且从第一区延伸到具有低于所述第一厚度的第二厚度的电容器电介质层的第二区；以及形成的顶板导体(1040)，其在第一区中覆盖电容器电介质层的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823082A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210057283.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请题为“具有改进特性的无源部件”。所描述的示例包括具有部件(700)的混合电路。该部件具有在衬底上的第一导电元件(702)，该第一导电元件具有配置并且具有第一外围并且在第一外围(703)处具有延伸部。该部件还具有在第一导电元件上的电介质(708)。该部件还具有第二导电元件(704)，该第二导电元件在电介质上具有接近并对准第一导电元件的配置，并且具有第二外围，第一导电元件的延伸部延伸经过第二外围。
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公开(公告)号：CN107615493B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201680031278.2
申请日：2016-04-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L29/94
Abstract: 对于集成电路，描述的示例包括绝缘体结构(20)，该绝缘体结构(20)具有平行的导电元件(28a/28b)，该平行的导电元件(28a/28b)形成电容器或电感变压器，该电容器或电感变压器在半导体结构的上方，该半导体结构包括形成于第二导电类型的槽区(31t)内的第一导电类型的阱区(32w)。槽区由第一导电类型的掺杂区(32c，34)和掩埋掺杂层(36)包围，形成与衬底串联的二极管。串联二极管的结电容具有减少绝缘体处的寄生电容的效果。
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公开(公告)号：CN106463259A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025493.7
申请日：2015-05-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01G2/08 , H01B3/306 , H01G4/018 , H01G4/18 , H01G4/33 , H01G4/40 , Y10T29/42
Abstract: 在所描述的示例中，加热电容器(100)采用由针对通过或接近加热电容器(100)的电流的电阻生成的热量来从位于加热电容器(100)的下金属板(112)和上金属板(116)之间并接触它们的加热电容器(100)的湿敏绝缘层(114)去除湿气。
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公开(公告)号：CN115547968A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210734699.9
申请日：2022-06-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了利用大角度导线键合和非金键合线进行半导体器件封装。在所描述的示例中，一种装置(图2，200)包括：封装衬底(220)，其具有管芯安装部分和与管芯安装部分间隔开的引线部分；在管芯安装部分之上的半导体管芯(105)，半导体管芯在背离封装衬底的有源表面上具有键合焊盘；非金键合线(110、109)，其形成在键合焊盘中的至少一个和封装衬底的引线部分中的一个之间的电连接；键合针脚，其位于在非金键合线(109)中的一个和半导体管芯的键合焊盘(223)之间形成的凸块连接上，包括形成在弯曲螺柱凸块(211)上的针脚键合(205)；以及电介质材料(203)，其覆盖封装衬底的一部分、半导体管芯、非金键合线、针脚键合以及弯曲螺柱凸块，从而形成封装的半导体器件。
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公开(公告)号：CN107078168A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060054.X
申请日：2015-11-06
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L23/552 , H01L23/642 , H01L28/40
Abstract: 在所描述的高电压集成电路电容器的示例中，电容器结构(1000)包括半导体衬底(1010)；底板(1020)，其具有覆盖半导体衬底的导电层；沉积的电容器电介质层(1030)，其覆盖底板(1020)的至少一部分并且在第一区中具有大于约6μm的第一厚度；倾斜过渡区(1045)，其位于所述第一区的边缘处的电容器电介质中，倾斜过渡区具有从水平面倾斜大于5度的上表面，并且从第一区延伸到具有低于所述第一厚度的第二厚度的电容器电介质层的第二区；以及形成的顶板导体(1040)，其在第一区中覆盖电容器电介质层的至少一部分。
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