公开(公告)号：CN116097407A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202280003817.7

申请日：2022-03-03

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： M·科罗利克 ,  P·E·吉 ,  B·J·布扬 ,  J·苏迪约诺 ,  W·Y·D·杨 ,  洪家伟 ,  S·贾殷

IPC: H01L21/311

Abstract: 蚀刻含硅材料的示例性方法可包括：将含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域。所述方法可包括：在远程等离子体区域内形成等离子体，以产生含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括：将等离子体流出物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可定位于处理区域内。基板可包括穿过堆叠层而形成的沟槽，所述堆叠层包括氮化硅和氧化硅的交替层。所述方法可包括：在实质上维持氧化硅的同时，各向同性地蚀刻氮化硅的层。

公开(公告)号：CN119694885A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411902934.4

申请日：2018-08-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·科罗利克 ,  N·英格尔 ,  D·基欧西斯

IPC: H01L21/3065

Abstract: 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子体流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。

公开(公告)号：CN110313054A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201880012622.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·R·阿内帕利 ,  P·S·古拉迪雅 ,  R·J·维瑟 ,  N·英格尔 ,  M·科罗利克 ,  J·比斯沃斯 ,  S·罗德哈

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括暴露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。

公开(公告)号：CN109390228A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810877233.8

申请日：2018-08-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·科罗利克 ,  N·英格尔 ,  D·基欧西斯

IPC: H01L21/3065

Abstract: 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子体流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。

公开(公告)号：CN110313054B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201880012622.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·R·阿内帕利 ,  P·S·古拉迪雅 ,  R·J·维瑟 ,  N·英格尔 ,  M·科罗利克 ,  J·比斯沃斯 ,  S·罗德哈

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括暴露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。

公开(公告)号：CN109390228B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201810877233.8

申请日：2018-08-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·科罗利克 ,  N·英格尔 ,  D·基欧西斯

IPC: H01L21/3065

Abstract: 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子体流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。

公开(公告)号：CN209000867U

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201821252033.5

申请日：2018-08-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·科罗利克 ,  N·英格尔 ,  D·基欧西斯

IPC: H01L21/3065

Abstract: 用于蚀刻含锗材料的示例性系统可以包括半导体处理腔室的远程等离子体区域、腔室部件以及所述半导体处理腔室的处理区域。远程等离子体区域可被配置用于形成含氟前驱物的等离子体。腔室部件的孔可被涂覆有催化材料。催化材料可被配置用于降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。处理区域可被配置用于容置待由所述等离子体流出物蚀刻的包含含锗材料的基板。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利