公开(公告)号：CN110313054A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201880012622.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·R·阿内帕利 ,  P·S·古拉迪雅 ,  R·J·维瑟 ,  N·英格尔 ,  M·科罗利克 ,  J·比斯沃斯 ,  S·罗德哈

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括暴露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。

公开(公告)号：CN110313054B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201880012622.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·R·阿内帕利 ,  P·S·古拉迪雅 ,  R·J·维瑟 ,  N·英格尔 ,  M·科罗利克 ,  J·比斯沃斯 ,  S·罗德哈

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括暴露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。