公开(公告)号：CN116097407A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202280003817.7

申请日：2022-03-03

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： M·科罗利克 ,  P·E·吉 ,  B·J·布扬 ,  J·苏迪约诺 ,  W·Y·D·杨 ,  洪家伟 ,  S·贾殷

IPC: H01L21/311

Abstract: 蚀刻含硅材料的示例性方法可包括：将含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域。所述方法可包括：在远程等离子体区域内形成等离子体，以产生含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括：将等离子体流出物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可定位于处理区域内。基板可包括穿过堆叠层而形成的沟槽，所述堆叠层包括氮化硅和氧化硅的交替层。所述方法可包括：在实质上维持氧化硅的同时，各向同性地蚀刻氮化硅的层。

公开(公告)号：CN103370773A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280008860.9

申请日：2012-02-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴蒂亚 ,  P·E·吉 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28556

Abstract: 本发明揭示的各方面有关于在图案化基板上沉积共形氧化硅多层的方法。所述共形氧化硅多层各自通过沉积多个子层而形成。子层是通过以下步骤沉积的：将双（二乙基胺基）硅烷(BIS(DIETHYLAMINO)SILANE,BDEAS)与含氧前驱物流入处理腔室，使得在整个图案化基板表面上达成相对均匀的介电质生长速率。在形成子层后可接着有等离子体处理，以进一步改善共形度并且减少共形氧化硅多层膜的湿蚀刻速率。根据实施例生长的共形氧化硅多层的沉积对图案密度的依赖减少，同时仍适合用于非牺牲性的应用。