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公开(公告)号：CN103430288B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280013237.2
申请日：2012-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32422 , H01L21/31122 , H01L21/32136
Abstract: 一种从包括含金属层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻含金属膜的方法，包括以下步骤：使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；以及施加能量到所述含氟气体，以在所述等离子体产生区域中产生等离子体。所述等离子体包括氟自由基与氟离子。所述方法还包括以下步骤：过滤所述等离子体，以提供具有比氟离子更高浓度的氟自由基的反应性气体；以及使所述反应性气体流动到所述基板处理腔室的气体反应区域内。所述方法还包括以下步骤：使所述基板暴露于所述基板处理腔室的所述气体反应区域中的所述反应性气体。相较于所述反应性气体蚀刻所述氧化硅层而言，所述反应性气体以更高的蚀刻速率来蚀刻所述含金属层。
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公开(公告)号：CN102687249A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059775.6
申请日：2010-11-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明描述一种蚀刻含硅材料的方法，该方法包含相较于先前技术具有较大或较小的氢氟流速比的SiConiTM蚀刻。已发现以此方法改变流速比可降低蚀刻后表面的粗糙度，以及降低稠密图案化区域与稀疏图案化区域的蚀刻速率差异。其他降低蚀刻后表面粗糙度的手段包含脉冲化前体的流动和/或等离子体功率、维持相对高的基板温度与在多个步骤中执行SiConiTM。上述每个方法可单独或合并使用，用于通过限制固态残留物晶粒大小来降低蚀刻表面的粗糙度。
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公开(公告)号：CN102598222A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080047977.9
申请日：2010-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , G03F7/42 , B44C1/22
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiTM蚀刻期间导入，以进一步改善有效的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN108962715B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201810472445.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
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公开(公告)号：CN110313054A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012622.2
申请日：2018-02-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/02
Abstract: 蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括暴露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。
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公开(公告)号：CN109390228A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810877233.8
申请日：2018-08-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子体流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。
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公开(公告)号：CN115763205A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211420205.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/305 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
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公开(公告)号：CN110313054B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201880012622.2
申请日：2018-02-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/02
Abstract: 蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括暴露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。
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公开(公告)号：CN103430289B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280013243.8
申请日：2012-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/31116 , C09K13/00 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069
Abstract: 一种从包含氮化硅层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻氮化硅的方法包括以下步骤：使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；及施加能量到该含氟气体，以在该等离子体产生区域中产生等离子体。该等离子体包含氟自由基与氟离子。该方法还包括以下步骤：过滤该等离子体，以提供具有比氟离子更高浓度的氟自由基的反应性气体；及使该反应性气体流动到该基板处理腔室的气体反应区域内。该方法还包括以下步骤：使该基板暴露于该基板处理腔室的该气体反应区域中的该反应性气体。相较于该反应性气体蚀刻该氧化硅层而言，该反应性气体以更高的蚀刻速率来蚀刻该氮化硅层。
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公开(公告)号：CN103843110A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280047561.6
申请日：2012-08-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32357 , H01J2237/334 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31116
Abstract: 一种蚀刻基板的方法包含在基板上形成由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成的多个双重图案化特征。将具有双重图案化特征的基板提供至工艺区。在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体。将受激励的蚀刻气体引入至工艺区以蚀刻双重图案化特征而形成固态残留物于基板上。藉由将基板加热至至少约100℃的温度来升华固态残留物。
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