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公开(公告)号：CN109390228B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201810877233.8
申请日：2018-08-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子体流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。
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公开(公告)号：CN119694885A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411902934.4
申请日：2018-08-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子体流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。
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公开(公告)号：CN109390228A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810877233.8
申请日：2018-08-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子体流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。
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公开(公告)号：CN209000867U
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201821252033.5
申请日：2018-08-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 用于蚀刻含锗材料的示例性系统可以包括半导体处理腔室的远程等离子体区域、腔室部件以及所述半导体处理腔室的处理区域。远程等离子体区域可被配置用于形成含氟前驱物的等离子体。腔室部件的孔可被涂覆有催化材料。催化材料可被配置用于降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。处理区域可被配置用于容置待由所述等离子体流出物蚀刻的包含含锗材料的基板。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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