利用冷却的静电吸盘的半导体处理

    公开(公告)号:CN116235286A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202280006308.X

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本文所述的实施例涉及基板支撑组件。基板支撑组件包括ESC基座组件、设施板、和密封组件,ESC基座组件具有设置在其中的基座通道,设施板与ESC基座组件耦接,设施板与ESC基座组件之间具有真空区域。密封组件包括上凸缘、下凸缘、垫片、和绝缘管,上凸缘耦接到ESC基座组件的基座通道,上凸缘设置在设施板中,下凸缘耦接到上凸缘,下凸缘设置在设施板中,垫片设置在上凸缘和下凸缘之间,绝缘管耦接到下凸缘。通路连接到基座通道,通路由上凸缘、垫片、下凸缘、绝缘管、和基座组件的连接的开口限定。

    低温静电吸盘
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112970100B

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN201980072880.4

    申请日:2019-11-11

    Abstract: 本文所述实施例涉及一种基板支撑组件,所述基板支撑组件实现静电吸盘(ESC)的低温操作,使得设置在静电吸盘(ESC)上的基板被维持在适用于处理的低温处理温度,同时将处理腔室的其他表面维持在不同的温度。基板支撑组件包含:静电吸盘(ESC),耦合至ESC的ESC底座组件,ESC底座组件具有设置在ESC底座组件中的底座通道,以及具有设置在设施板中的设施通道的设施板。设施板包含板部分和壁部分。板部分耦合至ESC底座组件并且壁部分使用密封组件耦合至ESC。真空区域由ESC、ESC底座组件、设施板的板部分、设施板的壁部分、以及密封组件来限定。

    降低的局部静电吸附力
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116982146A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202280020994.6

    申请日:2022-03-10

    Abstract: 半导体基板支撑组件可以包括具有基板支撑表面的静电吸盘主体。静电吸盘主体可限定多个从基板支撑表面延伸的突出件。组件可包括嵌入在静电吸盘主体内的电极。电极可限定穿过电极的孔,所述孔与从基板支撑表面延伸的多个突出件成直线。

    低温静电吸盘
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114342059A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202080062352.3

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 本文描述的实施例涉及基板支撑组件,所述基板支撑组件使静电吸盘(ESC)能够进行低温操作,使得设置在基板支撑组件上的基板维持在适合进行处理的低温处理温度下,同时使处理腔室的其他表面维持在不同的温度。基板支撑组件包括静电吸盘(ESC)、ESC底座组件和设施板,ESC底座组件耦接至ESC、具有设置在ESC底座组件中的底座通道,且设施板具有设置在设施板中的设施通道。设施板包括板部分和壁部分。板部分耦接至ESC底座组件,且壁部分由密封组件耦接至ESC。由ESC、ESC底座组件、设施板的板部分、设施板的壁部分和密封组件限定真空区域。

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