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公开(公告)号：CN115244677B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202080098357.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H02N13/00 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本文描述了半导体腔室部件，所述半导体腔室部件包括用于在腔室部件的通电部分与接地部分之间载送流体的一个或多个导管，与常规部件相比，所述导管配置成更不易引起电弧。在一个示例中，提供了一种半导体腔室部件，所述半导体腔室部件包括：通电区域、接地区域、以及流体导管。流体导管设置于半导体腔室部件内且通过通电区域和接地区域。流体导管具有在0.1MΩ至100MΩ之间的端至端电阻。
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公开(公告)号：CN113597659B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202080021717.8
申请日：2020-01-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘尧令 , P·J·唐 , M·D·威尔沃斯 , L·M·泰德斯奇 , D·S·卞 , P·A·克劳斯 , P·A·克里米诺儿 , C·李 , R·丁德萨 , A·施密特 , D·M·库萨
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容总体上涉及一种用于确定与在等离子体处理腔室内的蚀刻中使用的环组件的腐蚀有关的度量的方法和设备。在一个示例中，设备被配置为获取指示在等离子体处理腔室中设置在基板支撑组件上的边缘环上的腐蚀的度量。传感器获取边缘环的度量。度量与边缘环中的腐蚀量相关。在另一示例中，环传感器可布置在基板支撑组件的外周的外部。度量可由环传感器通过等离子体屏来获取。
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公开(公告)号：CN116235286A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202280006308.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Y·萨罗德维舍瓦纳斯 , S·E·巴巴扬 , A·施密特 , S·D·普劳蒂 , A·A·努贾伊姆
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文所述的实施例涉及基板支撑组件。基板支撑组件包括ESC基座组件、设施板、和密封组件，ESC基座组件具有设置在其中的基座通道，设施板与ESC基座组件耦接，设施板与ESC基座组件之间具有真空区域。密封组件包括上凸缘、下凸缘、垫片、和绝缘管，上凸缘耦接到ESC基座组件的基座通道，上凸缘设置在设施板中，下凸缘耦接到上凸缘，下凸缘设置在设施板中，垫片设置在上凸缘和下凸缘之间，绝缘管耦接到下凸缘。通路连接到基座通道，通路由上凸缘、垫片、下凸缘、绝缘管、和基座组件的连接的开口限定。
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公开(公告)号：CN116313723A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314837.2
申请日：2018-09-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Y·萨罗德维舍瓦纳斯 , S·E·巴巴扬 , S·D·普劳蒂 , A·施密特
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容的各个方面总体上涉及用于在处理腔室中进行边缘环替换的设备和方法。在一个方面中，公开一种用于支撑边缘环的载体。在其他方面，公开了用于支撑载体的机械叶片。在另一方面中，公开一种用于在脱气腔室中支撑载体的支撑结构。在另一方面中，公开一种在载体上传送边缘环的方法。
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公开(公告)号：CN116250072A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180060480.9
申请日：2021-11-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明实施例提供一种用于处理基板的方法和设备。所述设备具有环组件。环组件具有边缘环和遮蔽环。边缘环具有环形主体。边缘环主体具有顶表面和底表面。销孔从顶表面延伸穿过边缘环主体到底表面。遮蔽环具有环形主体。遮蔽环主体具有上表面和下表面。孔座形成在所述下表面上，其中所述遮蔽环主体中的所述孔座与所述边缘环主体中的所述销孔对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114342059B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202080062352.3
申请日：2020-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本文描述的实施例涉及基板支撑组件，所述基板支撑组件使静电吸盘(ESC)能够进行低温操作，使得设置在基板支撑组件上的基板维持在适合进行处理的低温处理温度下，同时使处理腔室的其他表面维持在不同的温度。基板支撑组件包括静电吸盘(ESC)、ESC底座组件和设施板，ESC底座组件耦接至ESC、具有设置在ESC底座组件中的底座通道，且设施板具有设置在设施板中的设施通道。设施板包括板部分和壁部分。板部分耦接至ESC底座组件，且壁部分由密封组件耦接至ESC。由ESC、ESC底座组件、设施板的板部分、设施板的壁部分和密封组件限定真空区域。
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公开(公告)号：CN115244677A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202080098357.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H02N13/00 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本文描述了半导体腔室部件，所述半导体腔室部件包括用于在腔室部件的通电部分与接地部分之间载送流体的一个或多个导管，与常规部件相比，所述导管配置成更不易引起电弧。在一个示例中，提供了一种半导体腔室部件，所述半导体腔室部件包括：通电区域、接地区域、以及流体导管。流体导管设置于半导体腔室部件内且通过通电区域和接地区域。流体导管具有在0.1MΩ至100MΩ之间的端至端电阻。
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公开(公告)号：CN113853672A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202080035413.7
申请日：2020-04-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 一种基板支撑基座包括静电吸盘、冷却基部、气流通道、多孔塞和密封构件。静电吸盘包括具有腔的主体。冷却基部经由接合层耦接到静电吸盘。气流通道形成在静电吸盘的顶表面与冷却基部的底表面之间。气流通道进一步包括腔。多孔塞定位于腔内，以控制通过气流通道的气流。所述密封构件邻近所述多孔塞定位，且所述密封构件经配置形成以下各者中的一个或多个：所述多孔塞与所述腔之间的径向密封以及所述多孔塞与所述冷却基部之间的轴向密封。
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公开(公告)号：CN112970100A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980072880.4
申请日：2019-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H02N13/00
Abstract: 本文所述实施例涉及一种基板支撑组件，所述基板支撑组件实现静电吸盘(ESC)的低温操作，使得设置在静电吸盘(ESC)上的基板被维持在适用于处理的低温处理温度，同时将处理腔室的其他表面维持在不同的温度。基板支撑组件包含：静电吸盘(ESC)，耦合至ESC的ESC底座组件，ESC底座组件具有设置在ESC底座组件中的底座通道，以及具有设置在设施板中的设施通道的设施板。设施板包含板部分和壁部分。板部分耦合至ESC底座组件并且壁部分使用密封组件耦合至ESC。真空区域由ESC、ESC底座组件、设施板的板部分、设施板的壁部分、以及密封组件来限定。
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公开(公告)号：CN113906548A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080036984.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 一种处理套组外壳系统，包括：用以封围内部容积的表面、包括第一鳍片的第一支撑结构、包括第二鳍片的第二支撑结构、以及用于将处理套组外壳系统与晶圆处理系统的装载端口接合的前接口。第一鳍片和第二鳍片被设置大小和间隔以在内部容积中保持处理套组环载具和处理套组环。每一个处理套组环经固定至处理套组环载具中的一者。处理套组外壳系统实现固定第一处理套组环的第一处理套组环载具从处理套组外壳系统到晶圆处理系统中的第一自动传送、以及固定第二处理套组环的第二处理套组环载具从晶圆处理系统到处理套组外壳系统中的第二自动传送。
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