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公开(公告)号：CN110544610A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910454122.0
申请日：2019-05-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Y·萨罗德维舍瓦纳斯
Abstract: 提供了用于处理基板的工艺配件、处理腔室和方法。所述工艺配件包括边缘环、可调整调节环、以及致动机构。所述边缘环具有第一环部件，所述第一环部件与相对于所述第一环部件可移动的第二环部件相接，在所述第一环部件和所述第二环部件之间形成间隙。所述第二环部件具有的内厚度小于外厚度，并且所述第二环部件的上表面的至少一部分朝向所述第一环部件向内成角度。所述可调整调节环具有上表面，所述上表面与所述第二环部件的所述下表面接触。致动机构，所述致动机构与所述可调整调节环的下表面相接，且所述致动机构被配置为致动所述可调整调节环，使得所述第一环部件与所述第二环部件之间的间隙改变。
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公开(公告)号：CN116235286A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202280006308.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Y·萨罗德维舍瓦纳斯 , S·E·巴巴扬 , A·施密特 , S·D·普劳蒂 , A·A·努贾伊姆
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文所述的实施例涉及基板支撑组件。基板支撑组件包括ESC基座组件、设施板、和密封组件，ESC基座组件具有设置在其中的基座通道，设施板与ESC基座组件耦接，设施板与ESC基座组件之间具有真空区域。密封组件包括上凸缘、下凸缘、垫片、和绝缘管，上凸缘耦接到ESC基座组件的基座通道，上凸缘设置在设施板中，下凸缘耦接到上凸缘，下凸缘设置在设施板中，垫片设置在上凸缘和下凸缘之间，绝缘管耦接到下凸缘。通路连接到基座通道，通路由上凸缘、垫片、下凸缘、绝缘管、和基座组件的连接的开口限定。
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公开(公告)号：CN108573849A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810191162.6
申请日：2018-03-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·阮 , Y·萨罗德维舍瓦纳斯 , X·Y·常
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。
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公开(公告)号：CN111653465A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010041505.8
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Y·萨罗德维舍瓦纳斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了具有晶片边缘等离子体壳层调谐能力的半导体等离子体处理设备。本公开的实施例整体包括通过控制在等离子体处理期间在衬底(诸如半导体晶片)上形成的等离子体壳层的形状来改善跨衬底的表面的蚀刻速率均匀性的方法和设备。本公开的实施例将包括调整一个或多个等离子体处理变量和/或调整在处理期间紧邻衬底和/或支撑所述衬底的工艺配件硬件的配置。此外，本公开的实施例将包括更换所述工艺配件硬件内的仅少量的消耗零件，而所述工艺配件硬件的其余零件则长时间段重复使用而无需为所述工艺腔室排气。对所述消耗零件的所述更换可以使用调换使用过的零件的自动化方法完成而无需为所述工艺腔室排气。
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公开(公告)号：CN110690098A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911120497.X
申请日：2015-01-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·恩古耶 , Y·萨罗德维舍瓦纳斯 , T·K·赵
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述基板支撑组件以及用于处理基板的设备。本公开一般涉及用于处理腔室中的电场、气流及热分布中的对称性以实现处理均匀性的设备及方法。本公开的实施例包括等离子体处理腔室，该等离子体处理腔室具有沿着同一中心轴对准的等离子体源、基板支撑组件和真空泵，以在等离子体处理腔室中创建基本上对称的流动路径、电场及热分布，从而导致改善的处理均匀性和减少的偏斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110544609A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910444975.6
申请日：2019-05-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Y·萨罗德维舍瓦纳斯
Abstract: 提供了用于处理基板的工艺配件、处理腔室和方法。所述工艺配件包括边缘环、滑环、可调整调节环、以及致动机构。所述边缘环具有第一环部件，所述第一环部件与相对于所述第一环部件可移动的第二环部件相接，在所述第一环部件和所述第二环部件之间形成间隙。所述滑环定位在所述边缘环的下方。所述可调整调节环定位在所述滑环的下方。所述致动机构与所述可调整调节环的下表面相接，并且被配置为致动所述可调整调节环从而使得所述第一环部件与所述第二环部件之间的间隙改变。在一个或多个示例中，滑环包括基质和涂层，所述基质包含导电材料，并且所述涂层包含电绝缘材料。
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公开(公告)号：CN116313723A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314837.2
申请日：2018-09-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Y·萨罗德维舍瓦纳斯 , S·E·巴巴扬 , S·D·普劳蒂 , A·施密特
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容的各个方面总体上涉及用于在处理腔室中进行边缘环替换的设备和方法。在一个方面中，公开一种用于支撑边缘环的载体。在其他方面，公开了用于支撑载体的机械叶片。在另一方面中，公开一种用于在脱气腔室中支撑载体的支撑结构。在另一方面中，公开一种在载体上传送边缘环的方法。
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公开(公告)号：CN116110846A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310233773.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
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公开(公告)号：CN115863136A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310106533.7
申请日：2018-03-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·阮 , Y·萨罗德维舍瓦纳斯 , X·Y·常
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。
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公开(公告)号：CN108369922B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201680067775.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
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