公开(公告)号：CN110112053B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN104641457A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048676.1

申请日：2013-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  X·陈 ,  祝基恩 ,  D·卢博米尔斯基 ,  朴书南 ,  J-G·杨 ,  S·文卡特拉马 ,  T·特兰 ,  K·欣克利 ,  S·加格

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  B05B1/005 ,  B05B1/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/002 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

公开(公告)号：CN104508804B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201380041015.6

申请日：2013-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J-G·杨 ,  X·陈 ,  朴书南 ,  白宗薰 ,  S·加格 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01J37/32091 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075

Abstract: 所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源，该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关可切换以使该一或多个电源电气耦接至该处理腔室的部件。

公开(公告)号：CN104981895A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480007781.5

申请日：2014-01-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  陈兴隆 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/3065

Abstract: 示例性系统可包括腔室，所述腔室经配置以在所述腔室的处理区域中含有半导体基板。所述系统可包括第一远程等离子体单元，所述第一远程等离子体单元与腔室的第一入口流体耦合且经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。所述系统可更进一步包括第二远程等离子体单元，所述第二远程等离子体单元与腔室的第二入口流体耦合且经配置以将第二前驱物经由第二入口传递至腔室中。可将第一入口及第二入口与腔室的混合区域流体耦合，所述混合区域与腔室的处理区域分开且与所述处理区域流体耦合。可配置混合区域以允许第一前驱物及第二前驱物在腔室的处理区域外部彼此相互作用。

公开(公告)号：CN103415914A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280011118.3

申请日：2012-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76229

Abstract: 本发明描述了用于在图案化衬底上形成高密度间隙填充氧化硅的工艺。所述工艺增加尤其在窄沟槽中的间隙填充氧化硅的密度。所述密度还可在宽沟槽和凹入的开放区域中增加。在允许蚀刻速率更加接近匹配的处理之后，在窄和宽沟槽/开放区域中的间隙填充氧化硅的密度变得更加相似。此效应也可被描述为图案加载作用降低。所述工艺涉及随后形成平面化氧化硅。平面化暴露更接近窄沟槽布置的新介电界面。新暴露的界面通过将平面化表面退火和/或暴露到等离子体来促进致密化处理。

公开(公告)号：CN103370773A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280008860.9

申请日：2012-02-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴蒂亚 ,  P·E·吉 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28556

Abstract: 本发明揭示的各方面有关于在图案化基板上沉积共形氧化硅多层的方法。所述共形氧化硅多层各自通过沉积多个子层而形成。子层是通过以下步骤沉积的：将双（二乙基胺基）硅烷(BIS(DIETHYLAMINO)SILANE,BDEAS)与含氧前驱物流入处理腔室，使得在整个图案化基板表面上达成相对均匀的介电质生长速率。在形成子层后可接着有等离子体处理，以进一步改善共形度并且减少共形氧化硅多层膜的湿蚀刻速率。根据实施例生长的共形氧化硅多层的沉积对图案密度的依赖减少，同时仍适合用于非牺牲性的应用。

公开(公告)号：CN107799379B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201711262383.X

申请日：2013-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  X·陈 ,  祝基恩 ,  D·卢博米尔斯基 ,  朴书南 ,  J-G·杨 ,  S·文卡特拉马 ,  T·特兰 ,  K·欣克利 ,  S·加格

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  B05B1/00 ,  B05B1/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明涉及基板处理腔室和半导体处理系统。描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

公开(公告)号：CN102934214B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201180027803.0

申请日：2011-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  J·D·潘松二世 ,  K·H·弗劳德 ,  A·汗 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明提供一种用于以批次模式处理多个晶圆的基板处理腔室。在一个实施例中，所述腔室包括：垂直对准外壳，所述外壳具有由内部分割器分隔的第一处理区域及第二处理区域，所述第一处理区域直接定位于所述第二处理区域上方；多区域加热器，所述加热器操作性耦接至所述外壳，以加热彼此独立的所述第一处理区域及所述第二处理区域；晶圆传送器，所述传送器适于固持所述处理室内的多个晶圆，及在所述第一处理区域与所述第二处理区域之间垂直移动；气体分配系统，所述气体分配系统适于将臭氧引入所述第二区域中及将蒸汽引入所述第一处理区域中；以及排气系统，所述排气系统经设置以排出被引入所述第一处理区域及所述第二处理区域中的气体。

公开(公告)号：CN103329251A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065903.2

申请日：2011-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J-G·杨 ,  M·L·米勒 ,  X·陈 ,  祝基恩 ,  Q·梁 ,  S·文卡特拉马 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明所描述的基板处理系统具有定位于处理腔室内部的电容耦合式等离子体(CCP)单元。CCP单元可包括在第一电极与第二电极之间形成的等离子体激发区域。第一电极可包括多个第一开孔以准许第一气体进入等离子体激发区域，且第二电极可包括多个第二开孔以准许活性气体离开等离子体激发区域。系统可进一步包括气体入口及基座，气体入口用于供应第一气体至CCP单元的第一电极，基座可操作以支撑基板。基座定位在气体反应区域下方，活化气体从CCP单元前进进入气体反应区域。

公开(公告)号：CN102934214A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027803.0

申请日：2011-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  J·D·潘松二世 ,  K·H·弗劳德 ,  A·汗 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明提供一种用于以批次模式处理多个晶圆的基板处理腔室。在一个实施例中，所述腔室包括：垂直对准外壳，所述外壳具有由内部分割器分隔的第一处理区域及第二处理区域，所述第一处理区域直接定位于所述第二处理区域上方；多区域加热器，所述加热器操作性耦接至所述外壳，以加热彼此独立的所述第一处理区域及所述第二处理区域；晶圆传送器，所述传送器适于固持所述处理室内的多个晶圆，及在所述第一处理区域与所述第二处理区域之间垂直移动；气体分配系统，所述气体分配系统适于将臭氧引入所述第二区域中及将蒸汽引入所述第一处理区域中；以及排气系统，所述排气系统经设置以排出被引入所述第一处理区域及所述第二处理区域中的气体。