公开(公告)号：CN116564808A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310498893.6

申请日：2017-11-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·徐 ,  陈智君 ,  J·黄 ,  王安川

IPC: H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  B08B7/00 ,  H01L21/02

Abstract: 示例性清洁或蚀刻方法可包括：使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括：在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括：使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内，并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括：将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括：移除所述被暴露的氧化物的至少一部分，同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50％。在移除之后，所述方法可包括，将所述处理区域内的所述相对湿度增加至大于50％或为约50％。所述方法可进一步包括：移除额外量的所述被暴露的氧化物。

公开(公告)号：CN109906500A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201780061602.X

申请日：2017-10-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈智君 ,  J·黄 ,  王安川 ,  N·英格尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 用于侧向蚀刻氮化硅的示例性方法可以包括将含氟前驱物和含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域内。所述方法可以包括在远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物和所述含氧前驱物的等离子体流出物。所述方法还可以包括将所述等离子体流出物流入所述半导体处理腔室的处理区域内。基板可以被放置在处理区域内，并且所述基板可以包括沟槽，所述沟槽被形成为穿过堆叠层，所述堆叠层包括交替的氮化硅层和氧化硅层。所述方法还可以包括在实质上维持所述氧化硅层的同时，从所述沟槽的侧壁侧向蚀刻所述氮化硅层。所述氮化硅层可以从所述沟槽的所述侧壁被侧向蚀刻小于10nm。

公开(公告)号：CN110235228B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201780069648.6

申请日：2017-11-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·徐 ,  陈智君 ,  J·黄 ,  王安川

IPC: H01L21/3213 ,  B08B7/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 示例性清洁或蚀刻方法可包括：使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括：在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括：使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内，并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括：将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括：移除所述被暴露的氧化物的至少一部分，同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50％。在移除之后，所述方法可包括，将所述处理区域内的所述相对湿度增加至大于50％或为约50％。所述方法可进一步包括：移除额外量的所述被暴露的氧化物。

公开(公告)号：CN110235228A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201780069648.6

申请日：2017-11-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·徐 ,  陈智君 ,  J·黄 ,  王安川

IPC: H01L21/3213 ,  B08B7/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 示例性清洁或蚀刻方法可包括：使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括：在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括：使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内，并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括：将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括：移除所述被暴露的氧化物的至少一部分，同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50％。在移除之后，所述方法可包括，将所述处理区域内的所述相对湿度增加至大于50％或为约50％。所述方法可进一步包括：移除额外量的所述被暴露的氧化物。

公开(公告)号：CN110112053A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN107078014A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580055951.1

申请日：2015-09-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·朴 ,  Y·朱 ,  E·C·苏亚雷斯 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·黄

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/22 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

Abstract: 在实施例中，一种等离子体源包括：第一电极，配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一电极中的第一穿孔；绝缘体，设置成绕所述第一电极的外周与所述第一电极接触；以及第二电极，设置成使所述第二电极的外周抵靠所述绝缘体，使得所述第一和第二电极以及所述绝缘体界定等离子体生成腔。所述第二电极配置成用于使来自所述等离子体生成腔的等离子体产物移动通过所述第二电极而前往工艺腔室。电源跨所述第一和第二电极提供电功率以在所述等离子体生成腔中利用所述一种或更多种等离子体源气体点燃等离子体，从而产生所述等离子体产物。所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘体中的一者包括端口，所述端口提供来自所述等离子体的光学信号。

公开(公告)号：CN105103266A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018007.4

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/324 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831

Abstract: 提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN107078014B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201580055951.1

申请日：2015-09-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·朴 ,  Y·朱 ,  E·C·苏亚雷斯 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·黄

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/22 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

Abstract: 在实施例中，一种等离子体源包括：第一电极，配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一电极中的第一穿孔；绝缘体，设置成绕所述第一电极的外周与所述第一电极接触；以及第二电极，设置成使所述第二电极的外周抵靠所述绝缘体，使得所述第一和第二电极以及所述绝缘体界定等离子体生成腔。所述第二电极配置成用于使来自所述等离子体生成腔的等离子体产物移动通过所述第二电极而前往工艺腔室。电源跨所述第一和第二电极提供电功率以在所述等离子体生成腔中利用所述一种或更多种等离子体源气体点燃等离子体，从而产生所述等离子体产物。所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘体中的一者包括端口，所述端口提供来自所述等离子体的光学信号。

公开(公告)号：CN117546280A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280044410.9

申请日：2022-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·黄 ,  E·查托

IPC: H01L21/67

Abstract: 在半导体制造工艺期间以平坦表面开始的晶片可能会随着层和特征被添加到下层基板上而变得翘曲或弓曲。这种翘曲可在制造工艺之间通过邻近位移传感器旋转晶片来检测。位移传感器可产生相对于基线测量的位移数据，以识别晶片上向上或向下弓曲的区域。随后可将位移数据映射到晶片上相对于对准特征的位置。随后，这种映射可用于调整后续半导体工艺中的参数，包括调整抛光工艺中的承载头在晶片被抛光时如何固持晶片或向晶片施加压力。

公开(公告)号：CN110112053B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。