公开(公告)号：CN107533951B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201680025233.4

申请日：2016-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·汤普生 ,  M·萨利 ,  B·J·布扬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C07F7/00

Abstract: 相对于第二基板表面选择性地沉积膜到第一基板表面上的方法。方法包括使用甲硅烷基胺浸泡包含羟基终端的基板表面以形成甲硅烷基醚终端以及沉积膜到该甲硅烷基醚终端表面以外的表面上。

公开(公告)号：CN109477214A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044398.0

申请日：2017-07-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·卡鲁塔拉格 ,  M·萨利 ,  D·汤普森 ,  A·B·玛里克 ,  T·阿肖克 ,  P·曼纳

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/36 ,  C23C16/34 ,  C23C16/32 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了用于无缝间隙填充的方法，包括通过将基板表面暴露于含硅前驱物和共反应物来形成可流动膜。所述含硅前驱物具有至少一个烯基或炔基。可通过任何合适的固化工艺固化所述可流动膜，以形成无缝间隙填充。

公开(公告)号：CN108140578B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201680061712.1

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·萨利 ,  田中启一 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  M·斯里拉姆 ,  B·J·布扬 ,  P·曼纳 ,  D·汤普森 ,  A·肖特

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。

公开(公告)号：CN116892014A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202311003007.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  C23C16/42

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN110612596B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880000826.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN116157897A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180052806.3

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： B·布扬 ,  Z·沈 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  X·王 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性处理方法可包括使第一沉积前驱物流入基板处理区域中以形成初始化合物层的第一部分。第一沉积前驱物可包括醛反应性基团。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第一沉积前驱物的第一沉积流出物。所述方法可包括使第二沉积前驱物流入基板处理区域中。第二沉积前驱物可包括胺反应性基团，并且胺反应性基团可与醛反应性基团反应以形成初始化合物层的第二部分。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第二沉积前驱物的第二沉积流出物。所述方法可包括使初始化合物层退火以在基板的表面上形成经退火的含碳材料。

公开(公告)号：CN119177427A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411302495.3

申请日：2017-07-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·卡鲁塔拉格 ,  M·萨利 ,  D·汤普森 ,  A·B·玛里克 ,  T·阿肖克 ,  P·曼纳

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/36 ,  C23C16/34 ,  C23C16/32 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 描述了用于无缝间隙填充的方法，包括通过将基板表面暴露于含硅前驱物和共反应物来形成可流动膜。所述含硅前驱物具有至少一个烯基或炔基。可通过任何合适的固化工艺固化所述可流动膜，以形成无缝间隙填充。

公开(公告)号：CN114008750A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080043058.8

申请日：2020-06-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·N·伍兹 ,  Z·崔 ,  M·萨利

IPC: H01L21/311

Abstract: 本公开内容的实施例提供用于蚀刻氧化物材料的多种方法。本公开内容的一些实施例提供优先于其他材料而选择性蚀刻氧化物材料的方法。在一些实施例中，本公开内容的方法是通过原子层蚀刻(ALE)执行。在一些实施例中，本公开内容的方法是在包括镍腔室材料的处理腔室内执行。

公开(公告)号：CN110612596A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201880000826.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN113936994A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111203384.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·汤普生 ,  M·萨利 ,  B·J·布扬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C07F7/00

Abstract: 相对于第二基板表面选择性地沉积膜到第一基板表面上的方法。方法包括使用甲硅烷基胺浸泡包含羟基终端的基板表面以形成甲硅烷基醚终端以及沉积膜到该甲硅烷基醚终端表面以外的表面上。