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公开(公告)号：CN116157897A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180052806.3
申请日：2021-07-21
IPC: H01L21/02
Abstract: 示例性处理方法可包括使第一沉积前驱物流入基板处理区域中以形成初始化合物层的第一部分。第一沉积前驱物可包括醛反应性基团。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第一沉积前驱物的第一沉积流出物。所述方法可包括使第二沉积前驱物流入基板处理区域中。第二沉积前驱物可包括胺反应性基团，并且胺反应性基团可与醛反应性基团反应以形成初始化合物层的第二部分。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第二沉积前驱物的第二沉积流出物。所述方法可包括使初始化合物层退火以在基板的表面上形成经退火的含碳材料。
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公开(公告)号：CN107968032B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201810036470.1
申请日：2011-10-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112740396A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980060581.9
申请日：2019-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 描述了半导体处理系统，所述半导体处理系统可以包括具有基板支撑表面的基板支撑组件。示例性的基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的陶瓷加热器。组件可包括接地板，陶瓷加热器安置在接地板上。组件可包括与接地板耦接的杆。组件可包括电极，电极嵌入在陶瓷加热器内距离基板支撑表面的一定深度处。腔室或系统还可包括RF匹配器，RF匹配器被配置成通过杆向电极提供AC电流与RF功率。RF匹配器可沿着杆与基板支撑组件耦接。基板支撑组件和RF匹配器可以在半导体处理系统内垂直平移。
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公开(公告)号：CN107968032A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201810036470.1
申请日：2011-10-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
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公开(公告)号：CN103155716A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049185.X
申请日：2011-10-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
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公开(公告)号：CN112289673B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202011112385.2
申请日：2011-10-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
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公开(公告)号：CN112289673A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011112385.2
申请日：2011-10-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
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