公开(公告)号：CN116157897A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180052806.3

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： B·布扬 ,  Z·沈 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  X·王 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性处理方法可包括使第一沉积前驱物流入基板处理区域中以形成初始化合物层的第一部分。第一沉积前驱物可包括醛反应性基团。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第一沉积前驱物的第一沉积流出物。所述方法可包括使第二沉积前驱物流入基板处理区域中。第二沉积前驱物可包括胺反应性基团，并且胺反应性基团可与醛反应性基团反应以形成初始化合物层的第二部分。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第二沉积前驱物的第二沉积流出物。所述方法可包括使初始化合物层退火以在基板的表面上形成经退火的含碳材料。

公开(公告)号：CN114846578B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202080090639.7

申请日：2020-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戚波 ,  Z·沈 ,  A·玛里克

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  C23C16/38

Abstract: 示例性方法可包括：将含硼前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法还可包括：由含硼前驱物在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料。含硼材料可包括大于50％的硼。在一些实施例中，含硼材料可基本上全部由硼组成。在一些实施例中，方法可进一步包括：将含锗前驱物、含氧前驱物、含硅前驱物、含磷前驱物、含碳前驱物和/或含氮前驱物中的至少一者输送到半导体处理腔室的处理区域。含硼材料可进一步包括锗、氧、硅、磷、碳和/或氮中的至少一者。

公开(公告)号：CN114846578A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080090639.7

申请日：2020-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戚波 ,  Z·沈 ,  A·玛里克

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  C23C16/38

Abstract: 示例性方法可包括：将含硼前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法还可包括：由含硼前驱物在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料。含硼材料可包括大于50％的硼。在一些实施例中，含硼材料可基本上全部由硼组成。在一些实施例中，方法可进一步包括：将含锗前驱物、含氧前驱物、含硅前驱物、含磷前驱物、含碳前驱物和/或含氮前驱物中的至少一者输送到半导体处理腔室的处理区域。含硼材料可进一步包括锗、氧、硅、磷、碳和/或氮中的至少一者。