-
公开(公告)号：CN118854264A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410914691.X
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/455
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
-
公开(公告)号：CN108140578B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201680061712.1
申请日：2016-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。
-
公开(公告)号：CN115917707A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180043981.6
申请日：2021-06-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , P·曼纳 , A·B·玛里克
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/3213 , C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/52
Abstract: 本公开的实施例总体涉及制造集成电路。更具体地，本文描述的实施例提供了用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个或多个实施例中，提供一种处理基板的方法并且所述方法包括将含有烃化合物和掺杂剂化合物的沉积气体流入在静电卡盘上定位有基板的处理腔室的处理空间中，其中将处理空间维持在约0.5毫托至约10托的压力下。方法还包括通过将第一RF偏压施加到静电卡盘来在基板处产生等离子体以在基板上沉积掺杂的类金刚石碳膜，其中掺杂的类金刚石碳膜具有大于2g/cc的密度和小于‑500MPa的应力。
-
公开(公告)号：CN112740360A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061362.2
申请日：2019-10-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·E·戈特海姆 , P·曼纳 , A·B·玛里克
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/455 , G03F7/20 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于图案化应用的高透明、高密度的碳膜的沉积。在一个实施例中，提供一种在基板上形成碳膜的方法。所述方法包括：使含碳氢化合物的气体混合物流入工艺腔室中，所述工艺腔室具有定位在静电吸盘上的基板，其中将基板保持在约‑10℃至约20℃的温度和约0.5毫托至约10托的腔室压力；以及通过将第一RF偏压施加至静电吸盘来生成等离子体，以在基板上沉积含有约60％或更多的杂化sp3原子的类金刚石碳膜，其中所述第一RF偏压是以约1800瓦至约2200瓦的功率和约40MHz至约162MHz的频率提供。
-
公开(公告)号：CN112041481A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201880092808.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/26 , H01L21/033 , H01L21/02
Abstract: 本公开的实施例涉及用于使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将非晶碳层沉积到基板上、包括沉积在所述基板上的先前形成的层上方的方法，具体而言，本文中描述的方法利用RF AC功率和脉冲DC功率的组合来产生等离子体，所述等离子体以sp3(类金刚石)碳与sp2(类石墨)碳的高比率来沉积非晶碳层。所述方法还提供了较低处理压力、较低处理温度和较高处理功率，以上各项中的每一者单独地或组合地可进一步增大在所沉积的非晶碳层中sp3碳的相对分数。由于较高的sp3碳分数，与通过常规方法沉积的非晶碳层相比，本文中描述的方法提供了具有改进的密度、刚度、蚀刻选择性和膜应力的非晶碳层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109690736A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780056070.0
申请日：2017-09-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王家锐 , P·K·库尔施拉希萨 , E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·S·罗伊 , K·D·李
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方案总体上是关于集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬掩模膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。该方法包含以下步骤：将卡紧电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，通过在处理腔室中供应种晶层气体混合物并同时维持卡紧电压而在设置于基板上的膜堆层上形成包含硼的种晶层，通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物而在种晶层上形成包含硼与钨的过渡层，以及通过在处理腔室中供应主沉积气体混合物而在过渡层上形成块状硬掩模层。
-
公开(公告)号：CN117524848A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311477340.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/50 , C23C16/56 , C23C16/26 , G03F7/20 , H01L21/311 , H01L21/683 , H01L21/67 , H10B43/27 , H10B41/20 , H01L21/033 , H10B41/27 , H10B43/20 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于‑500MPa的应力。
-
公开(公告)号：CN114729454A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080072722.1
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
-
公开(公告)号：CN112889128A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069906.X
申请日：2019-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本文描述的实施例关于磁性和电磁系统以及用于控制PECVD腔室的处理空间中产生的等离子体的密度分布以影响膜的沉积分布的方法。在一个实施例中，多个固定架设置在磁性壳体系统的旋转磁性壳体中。所述多个固定架中的每个固定架设置在所述旋转磁性壳体中，每个固定架之间的距离为d。所述多个固定架具有可移除地设置在其中的多个磁铁。当旋转磁性壳体绕圆形中心开口旋转时，所述多个磁铁经配置在圆环形路径中行进。
-
公开(公告)号：CN112437971A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201980047986.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·E·戈特海姆 , P·曼纳 , A·B·玛里克
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/027 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 描述了沉积高密度介电膜以用于图案化应用的技术。更具体来说，提供了处理基板的方法。所述方法包括使含有前驱物的气体混合物流动到处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有在静电卡盘上定位的基板。将基板维持在约0.1毫托(mTorr)与约10托(Torr)之间的压力下。通过将第一RF偏压施加到静电卡盘以在基板水平处产生等离子体，而在基板上沉积介电膜。介电膜具有在约1.5至约3的范围中的折射率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.046 seconds)
