公开(公告)号：CN119301750A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380044130.2

申请日：2023-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·H·黄 ,  E·查托

IPC: H01L21/67 ,  G01S17/08 ,  H01L21/687 ,  H01L21/66 ,  G05B13/02

Abstract: 当将层和特征添加到下层基板时，在半导体制造工艺期间作为平坦表面开始的晶片可变得翘曲或弯曲。此翘曲可在制造工艺之间通过邻近位移传感器旋转晶片来检测。位移传感器可生成相对于基线测量的位移数据来标识向上或向下弯曲的晶片的区。位移数据可随后映射到晶片上相对于对准特征的位置。此映射可随后用于调整后续半导体工艺中的参数，包括调整当抛光晶片时抛光工艺上的承载头如何固持晶片或将压力施加到晶片。可训练模型以提供用于抛光/清洁工艺的控制信号、或生成计量数据。

公开(公告)号：CN117546280A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280044410.9

申请日：2022-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·黄 ,  E·查托

IPC: H01L21/67

Abstract: 在半导体制造工艺期间以平坦表面开始的晶片可能会随着层和特征被添加到下层基板上而变得翘曲或弓曲。这种翘曲可在制造工艺之间通过邻近位移传感器旋转晶片来检测。位移传感器可产生相对于基线测量的位移数据，以识别晶片上向上或向下弓曲的区域。随后可将位移数据映射到晶片上相对于对准特征的位置。随后，这种映射可用于调整后续半导体工艺中的参数，包括调整抛光工艺中的承载头在晶片被抛光时如何固持晶片或向晶片施加压力。