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公开(公告)号：CN101369518A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810095184.9
申请日：2008-03-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·帕特森 , 瑟多若斯·帕纳果泊洛斯 , 瓦伦顿·N·图杜罗 , 布莱恩·K·海彻尔 , 丹·卡兹 , 爱德华·P·哈蒙德四世 , 约翰·P·霍兰德
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供通过脉冲VHF操作的等离子体类型和均匀性控制。一种用于处理衬底的装置具有室、高频功率源和低频功率源。该室内具有第一和第二电极。该高频功率源电性耦合至第一或第二电极，以提供第一RF信号。该低频功率源电性耦合至第一或第二电极，以提供第二RF信号。启动或关闭该第一RF信号，以便增强该室中的电子损耗。
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公开(公告)号：CN101383272B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810210599.6
申请日：2008-09-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹·卡兹 , 大卫·帕拉加斯维勒 , 迈克尔·D·威尔沃斯 , 瓦伦顿·N·图杜罗 , 亚历山大·M·帕特森
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及用于等离子体反应器室的晶片支架，其中所述晶片支架具有与晶片边缘相邻且包围晶片边缘的晶片边缘气体注射器。
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公开(公告)号：CN102067737A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123938.X
申请日：2009-06-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 谢约恩·L·卡茨 , 丹·卡兹
IPC: H05H1/34 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6833
Abstract: 一种可在衬底表面及在超出衬底外围边缘处产生均匀等离子体的设备，具有介电体，该介电体中嵌设有上方电极和环形电极。此上方电极的外周与此环形电极的内周彼此重叠。在具体实施例中，上方电极以钼通孔与环形电极电性连接。在具体实施例中，上方电极连接至DC功率源，以产生静电力吸住衬底。在具体实施例中，上方电极连接到RF功率源，以激发一或多种处理气体使其成为可用以处理衬底的等离子体。
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公开(公告)号：CN102067737B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN200980123938.X
申请日：2009-06-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 谢约恩·L·卡茨 , 丹·卡兹
IPC: H05H1/34 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6833
Abstract: 一种可在衬底表面及在超出衬底外围边缘处产生均匀等离子体的设备，具有介电体，该介电体中嵌设有上方电极和环形电极。此上方电极的外周与此环形电极的内周彼此重叠。在具体实施例中，上方电极以钼通孔与环形电极电性连接。在具体实施例中，上方电极连接至DC功率源，以产生静电力吸住衬底。在具体实施例中，上方电极连接到RF功率源，以激发一或多种处理气体使其成为可用以处理衬底的等离子体。
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公开(公告)号：CN101383272A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810210599.6
申请日：2008-09-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹·卡兹 , 大卫·帕拉加斯维勒 , 迈克尔·D·威尔沃斯 , 瓦伦顿·N·图杜罗 , 亚历山大·M·帕特森
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及用于等离子体反应器室的晶片支架，其中所述晶片支架具有与晶片边缘相邻且包围晶片边缘的晶片边缘气体注射器。
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