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公开(公告)号：CN116631929B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310906467.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/00 , B81C3/00 , G06T7/00
Abstract: 芯片转移效率。本发明公开了一种基于摆臂固晶机的芯片转移方法、系统、设备和介质，通过当芯片基板放置在供料平台时，采用芯片基板进行芯片数量识别，确定芯片数据和转移总量。首先，基于芯片数据、摆臂的第一振动相位和供料平台的第二振动相位进行芯片拾取，生成吸附芯片摆臂。其次，基于芯片数据、吸附芯片摆臂的第三振动相位和芯片接收台的第四振动相位进行芯片放置，生成芯片接收数据并实时统计转移次数。最后，基于转移次数、转移总量和芯片接收数据进行视觉检测，构建芯片基板对应的芯片转移统计表。把摆(56)对比文件US 2019088516 A1,2019.03.21US 2023170239 A1,2023.06.01WO 2018028994 A1,2018.02.15WO 2019210628 A1,2019.11.07詹道桦 等.对机械手定位的全相位傅里叶变换相位式 激光测距系统.激光与光电子学进展.2022,第60卷(第5期),第0512004-1至0512004-6页.
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公开(公告)号：CN116690650A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310782135.7
申请日：2023-06-28
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种移动式机械臂的自适应平衡装置、方法及存储介质，涉及机械臂平衡控制技术领域。装置包括：平衡装置和控制系统；平衡装置设置在移动式机械臂的移动底盘上，用于调整所述移动式机械臂的平衡状态；控制系统用于根据多轴机械臂质量数据、平衡装置质量数据、移动底盘质量数据和移动底盘倾角数据，实时计算移动式机械臂的重心位置，当判断到移动式机械臂的重心位置偏离预置作业范围时，及时控制平衡装置调整移动式机械臂的重心位置，保证移动式机械臂处于平衡状态。
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公开(公告)号：CN119340246A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411512978.6
申请日：2024-10-28
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/306 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀装置和纳米结构阵列刻蚀加工方法，涉及半导体加工技术领域。本发明提出的湿法刻蚀装置的加工模块包括壳体、刻蚀容器、可移动装载器、直动单元和横动单元，壳体设有直动凹槽和横动通道，刻蚀容器用于容置刻蚀溶液，可移动装载器用于装载待加工器件，直动单元用于控制可移动装载器沿直动凹槽升降，以使待加工器件浸入或离开刻蚀溶液，横动单元用于控制可移动装载器沿横动通道横向移动；基于该湿法刻蚀装置，本发明还提出了一种纳米结构阵列刻蚀加工方法，可制备阶梯型硅纳米孔结构阵列。本发明提出的湿法刻蚀装置具有较高的刻蚀精度、加工效率和自动化程度，减少了频繁的人工操作带来的不确定性和安全隐患。
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公开(公告)号：CN116631928B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310906465.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/677 , H01L33/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种芯片转移方法、系统、设备和介质，通过采用待转移芯片数据和转盘固晶机结构数据，确定转盘对应的目标转盘线速度。采用待转移芯片数据中的芯片数量和预设芯片数量阈值，确定芯片转移操作类型。若芯片转移操作类型为异步操作，则基于转盘固晶机结构数据进行操作时间计算，生成芯片拾取时间和芯片放置时间。基于目标转盘线速度、芯片拾取时间和芯片放置时间进行飞行式芯片转移，生成芯片转移数据。若芯片转移操作类型为同步操作，则基于目标转盘线速度同时进行芯片拾取和芯片放置，生成芯片转移数据。基于待转移芯片数据，调整转盘固晶机的工作模式，并将转盘停止时间优化掉，实现运动不停滞的芯片转移过程，从而提高芯片转移效率。
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公开(公告)号：CN117936424A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410103782.5
申请日：2024-01-25
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , G01B7/00
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED芯片柔性飞行刺晶装置及控制方法，包括：微动平台；微动平台包括：微动平台控制器、音圈电机、驱动框、压电陶瓷、桥式放大机构和杠杆放大机构；微动平台控制器分别与音圈电机和压电陶瓷电性连接，用于控制音圈电机推动驱动框以带动刺针的横向移动，并按照预设工作频率控制压电陶瓷轴向伸长收缩使得桥式放大机构与杠杆放大机构纵向移动，进而带动刺针进行纵向往复移动。在本发明中，能够实时调整刺针的横向位移保证刺针与Micro‑LED芯片的对准精度，将桥式放大机构与杠杆放大机构相结合搭配压电陶瓷使得刺针进行纵向的高速率移动，本发明能够实现高精度、高速度和高效率的芯片封装转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116631928A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310906465.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/677 , H01L33/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种芯片转移方法、系统、设备和介质，通过采用待转移芯片数据和转盘固晶机结构数据，确定转盘对应的目标转盘线速度。采用待转移芯片数据中的芯片数量和预设芯片数量阈值，确定芯片转移操作类型。若芯片转移操作类型为异步操作，则基于转盘固晶机结构数据进行操作时间计算，生成芯片拾取时间和芯片放置时间。基于目标转盘线速度、芯片拾取时间和芯片放置时间进行飞行式芯片转移，生成芯片转移数据。若芯片转移操作类型为同步操作，则基于目标转盘线速度同时进行芯片拾取和芯片放置，生成芯片转移数据。基于待转移芯片数据，调整转盘固晶机的工作模式，并将转盘停止时间优化掉，实现运动不停滞的芯片转移过程，从而提高芯片转移效率。
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公开(公告)号：CN116631929A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310906467.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/00 , B81C3/00 , G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于摆臂固晶机的芯片转移方法、系统、设备和介质，通过当芯片基板放置在供料平台时，采用芯片基板进行芯片数量识别，确定芯片数据和转移总量。首先，基于芯片数据、摆臂的第一振动相位和供料平台的第二振动相位进行芯片拾取，生成吸附芯片摆臂。其次，基于芯片数据、吸附芯片摆臂的第三振动相位和芯片接收台的第四振动相位进行芯片放置，生成芯片接收数据并实时统计转移次数。最后，基于转移次数、转移总量和芯片接收数据进行视觉检测，构建芯片基板对应的芯片转移统计表。把摆臂停止动作不可避免的振动利用起来，刹车过程不再作为摆臂运动速度提高的主要限制，摆臂可以更高的速度完成由芯片到基板的来回，提高了芯片转移效率。
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公开(公告)号：CN119340206A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411512976.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/67 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米孔/线阵列可控刻蚀加工装置和方法，涉及半导体加工技术领域；待加工器件的表面设有含有磁性组分的金属掩膜，加工装置包括刻蚀容器、磁场发生装置、转动基台和中控装置；刻蚀容器底部设有用于承载待加工器件的样品容器，刻蚀溶液在金属掩膜的催化作用下对待加工器件进行刻蚀；磁场发生装置包括设于样品容器正下方的电磁铁；转动基台设有与电磁铁抵接的多个推杆；中控装置控制电磁铁的磁场强度，且通过控制推杆运动使电磁铁在竖直方向上转动以改变磁场方向；本发明基于金属辅助化学刻蚀，通过磁场控制金属掩膜沿着预定轨迹运动，可以刻蚀得到光滑笔直、不同轨迹的纳米孔或纳米线阵列。
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公开(公告)号：CN119148734A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411286159.4
申请日：2024-09-13
Applicant: 广东工业大学
IPC: G05D1/46 , G05D109/20
Abstract: 本发明公开了一种飞行刺晶路径规划方法及装置，包括对飞行刺晶的多个控制点坐标进行初始化，生成多个初始控制点坐标；根据各初始控制点坐标和预置巨量转移运动数据，构建运动学约束矩阵和控制点基函数矩阵；采用预置求解算法根据运动学约束矩阵、控制点基函数矩阵和各初始控制点坐标，确定目标控制阶数；根据目标控制阶数、运动学约束矩阵和控制点基函数矩阵，确定飞行刺晶的目标贝塞尔运动曲线；解决了现有的飞行刺晶的路径规划方法导致得到的贝塞尔路径过于复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN117276063A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311230415.3
申请日：2023-09-22
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/306 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01L21/67
Abstract: 本申请属于微纳结构技术领域，尤其涉及一种曲折型硅纳米结构的刻蚀加工方法及装置；本申请提供的曲折型硅纳米结构的刻蚀加工装置利用控制系统控制入口蠕动泵将组分添加容器中的刻蚀溶液输入刻蚀容器刻蚀硅基体，并通过控制入口蠕动泵和出口蠕动泵的泵速，实现了不同刻蚀溶液的无级调节，刻蚀溶液的组分浓度调节精确度高，从而提高了曲折型硅纳米结构的刻蚀精确度，能够解决现有技术中曲折型硅纳米结构的刻蚀精确度较低的技术问题。
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