公开(公告)号：CN119340206A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411512976.7

申请日：2024-10-28

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 龙杰才 ,  张轩 ,  陈桪 ,  张皓钧 ,  谢丛锴 ,  吴昊沂

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米孔/线阵列可控刻蚀加工装置和方法，涉及半导体加工技术领域；待加工器件的表面设有含有磁性组分的金属掩膜，加工装置包括刻蚀容器、磁场发生装置、转动基台和中控装置；刻蚀容器底部设有用于承载待加工器件的样品容器，刻蚀溶液在金属掩膜的催化作用下对待加工器件进行刻蚀；磁场发生装置包括设于样品容器正下方的电磁铁；转动基台设有与电磁铁抵接的多个推杆；中控装置控制电磁铁的磁场强度，且通过控制推杆运动使电磁铁在竖直方向上转动以改变磁场方向；本发明基于金属辅助化学刻蚀，通过磁场控制金属掩膜沿着预定轨迹运动，可以刻蚀得到光滑笔直、不同轨迹的纳米孔或纳米线阵列。

公开(公告)号：CN119340246A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411512978.6

申请日：2024-10-28

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 张皓钧 ,  龙杰才 ,  张轩 ,  陈桪 ,  谢丛锴

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/306 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀装置和纳米结构阵列刻蚀加工方法，涉及半导体加工技术领域。本发明提出的湿法刻蚀装置的加工模块包括壳体、刻蚀容器、可移动装载器、直动单元和横动单元，壳体设有直动凹槽和横动通道，刻蚀容器用于容置刻蚀溶液，可移动装载器用于装载待加工器件，直动单元用于控制可移动装载器沿直动凹槽升降，以使待加工器件浸入或离开刻蚀溶液，横动单元用于控制可移动装载器沿横动通道横向移动；基于该湿法刻蚀装置，本发明还提出了一种纳米结构阵列刻蚀加工方法，可制备阶梯型硅纳米孔结构阵列。本发明提出的湿法刻蚀装置具有较高的刻蚀精度、加工效率和自动化程度，减少了频繁的人工操作带来的不确定性和安全隐患。