公开(公告)号：CN1134693A

公开(公告)日：1996-10-30

申请号：CN95190842.1

申请日：1995-10-04

Applicant: 工业技术院长代表的日本国 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 近藤直树 ,  若井史博 ,  小畑良洋 ,  山川晃 ,  西冈隆夫 ,  吉村雅司

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/599 ,  B28B1/00 ,  B28B3/00

CPC classification number: C04B35/593 ,  C04B35/597

Abstract: 对于Si3N4以及Sialon陶瓷烧结体，现已提供了一种不用形成复合材料而保持单一状态的、利用超塑性进行成型的工艺，并提供了一种根据该工艺成型出的烧结体。把相对密度在95％以上、线密度对于烧结体的二维横截面上的50μm的长度在120～250范围内的氮化硅及Sialon烧结体；在1300～1700℃的温度下通过拉伸或压缩作用使其在小于10-1/秒的应变速率下发生塑性形变从而进行成型。成型后的烧结体特别在常温下具有优异的机械性能。

公开(公告)号：CN1079385C

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN95190842.1

申请日：1995-10-04

Applicant: 工业技术院长代表的日本国 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 近藤直树 ,  若井史博 ,  小畑良洋 ,  山川晃 ,  西冈隆夫 ,  吉村雅司

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/599 ,  B28B1/00 ,  B28B3/00

CPC classification number: C04B35/593 ,  C04B35/597

Abstract: 对于Si3N4以及Sialon陶瓷烧结体，现已提供了一种不用形成复合材料而保持单一状态的、利用超塑性进行成形的工艺，并提供了一种根据该工艺成形出的烧结体。把相对密度在95%以上、线密度对于烧结体的二维横截面上的50μm的长度在120～250范围内的氮化硅及Sialon烧结体；在1300～1700℃的温度下通过拉伸或压缩作用使其在小子10-1/秒的应变速率下发生塑性形变从而进行成形。成形后的烧结体特别在常温下具有优异的机械性能。

公开(公告)号：CN102959677B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180030507.6

申请日：2011-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。

公开(公告)号：CN103180494A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180028976.4

申请日：2011-12-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C03C10/0018 ,  C04B35/106 ,  C04B35/16 ,  C04B35/185 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/9607 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明涉及一种GaN基膜的制造方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底(10)包含：在氢氟酸中可溶的支持衬底(11)以及布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，所述支持衬底(11)的主表面(11m)内的热膨胀系数大于GaN晶体的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍；在布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的所述单晶膜(13)的主表面(13m)上形成GaN基膜(20)；以及通过将支持衬底(11)溶解在氢氟酸中来除去所述支持衬底(11)。因此，本发明提供能够有效地获得主表面面积大、翘曲较小且结晶性良好的GaN基膜的GaN基膜的制造方法以及为此使用的复合衬底。

公开(公告)号：CN102388004A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080015912.6

申请日：2010-03-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司 ,  福间正树 ,  辻裕 ,  中山茂

IPC: C04B35/443

CPC classification number: C04B35/443 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63448 ,  C04B35/63488 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653

Abstract: 本发明提供一种尖晶石制的透光窗材料及其制造方法。该尖晶石制的透光窗材料由尖晶石烧结体构成，其特征在于，包含在上述透光窗材料中的气孔的最大直径为100μm以下，并且最大直径在10μm以上的气孔数在每立方厘米上述透光窗材料中为2.0个以下。该尖晶石制透光窗材料进一步降低了光的散射因数。该尖晶石制透光窗材料的制造方法的特征在于，具有：制作尖晶石成形体的工序；将上述尖晶石成形体在常压以下或者真空中且在1500～1900℃下进行烧结的一次烧结工序；以及在加压下且在1500～2000℃的温度范围下进行烧结的二次烧结工序，一次烧结工序之后的尖晶石成形体的相对密度为95～96％，二次烧结工序之后的尖晶石成形体的相对密度为99.8％以上。

公开(公告)号：CN101646633A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880006911.8

申请日：2008-02-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司 ,  吉金丈典 ,  中山茂 ,  藤井明人

IPC: C04B35/443

CPC classification number: C04B35/443 ,  C04B35/6455 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/805 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/9653 ,  G02B1/02 ,  G02F2001/133311 ,  G02F2201/50 ,  G02F2202/09 ,  G02F2203/01 ,  G02F2203/06 ,  G03B21/005 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/5055

Abstract: 本发明提供组成为MgO·nAl 2 O 3 (1.05≤n≤1.30)、Si元素的含量为20ppm以下的尖晶石烧结体及其制造方法，该制造方法具备以下工序：由Si元素的含量为50ppm以下、纯度为99.5质量％以上的尖晶石粉末形成成型体的工序；通过在真空中在1500℃～1700℃下对成型体进行烧结，形成密度95％以上的烧结体的第一烧结工序；和在1600℃～1800℃下对烧结体进行加压烧结的第二烧结工序。

公开(公告)号：CN1611460A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410087988.6

申请日：2004-10-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司 ,  上野友之

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/583 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/58007 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/528 ,  C04B35/565 ,  C04B35/575 ,  C04B35/58 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/58021 ,  C04B35/581 ,  C04B35/583 ,  C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963

Abstract: 陶瓷复合材料，在从室温到高温的范围内，其具有优异的机械性能和对玻璃、树脂、陶瓷和类似的物质具有高的脱模性。陶瓷复合材料是由陶瓷相和含有2至98％碳和/或氮化硼作为主要组分的相组成的，并且其平均颗粒大小为100nm或以下，其中热膨胀系数在2.0至9.0×10－6/℃，在表面抛光后的表面粗糙度为0.05微米或以下。通过在800至1500℃的烧结温度和200MPa或更高的烧结压力下烧结粉末原料的混合物得到该材料的烧结体。

公开(公告)号：CN1071723C

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN95118717.1

申请日：1995-10-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司 ,  佐藤武 ,  山口章 ,  山川晃

IPC: C04B35/584

CPC classification number: C04B35/584

Abstract: 一种制造氮化硅烧结体的方法，包括在一个温度范围内对氮化硅烧结体的坯料进行热处理，该温度范围从坯料的内摩擦达到最大峰值时的温度-150℃至该温度+150℃。一种用于本发明的代表性的坯料是这样来制得的：将氮化硅粉末与助烧剂粉末混合，得到的粉末混合物含5-15%(重量)(以氧化物计)的至少一种选自由稀土元素和铝组成一组的元素，0.5-5%(重量)(以氧化物计)选自由Mg、Ti和Ca组成一组的元素，以及余量的Si3N4，将粉末混合物成型，在含氮气氛中于1500-1700℃烧结所得素坯。

公开(公告)号：CN106575055A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580045008.2

申请日：2015-08-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 下司庆一郎 ,  中山茂 ,  吉村雅司

IPC: G02F1/1333 ,  C04B35/443

CPC classification number: C01F7/162 ,  C01P2002/32 ,  C04B35/443 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9653 ,  G02B1/14 ,  G02F1/1333 ,  G02F2201/50

Abstract: 本发明提供了具有高强度和包含曲面的形状，同时压缩了制造成本的液晶保护板；以及制造这种液晶保护板的方法。该液晶保护板由平均粒径10μm以上且100μm以下的尖晶石烧结体形成。该液晶保护板具有包含曲面的形状。

公开(公告)号：CN103608310A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280029318.1

申请日：2012-06-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  曾我部浩一 ,  粟田英章 ,  冈田浩 ,  吉村雅司

IPC: C04B35/00 ,  C01G15/00 ,  C04B35/44 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C01G9/00 ,  C01G15/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 导电性氧化物包含In、Al、选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素M以及O并且包含结晶质Al2MO4。导电性氧化物的制造方法包括：在将选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素设为M时，制备包含Al2O3粉末和MO粉末的第一混合物的工序(S10)；通过对第一混合物进行煅烧而制作结晶质Al2MO4粉末的工序(S20)；制备包含结晶质Al2MO4粉末和In2O3粉末的第二混合物的工序(S30)；通过对第二混合物进行成形而得到成形体的工序(S40)；以及对成形体进行烧结的工序(S50)。由此，可以提供廉价且适合用于溅射的靶而得到高物性的氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜。