公开(公告)号：CN1079385C

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN95190842.1

申请日：1995-10-04

Applicant: 工业技术院长代表的日本国 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 近藤直树 ,  若井史博 ,  小畑良洋 ,  山川晃 ,  西冈隆夫 ,  吉村雅司

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/599 ,  B28B1/00 ,  B28B3/00

CPC classification number: C04B35/593 ,  C04B35/597

Abstract: 对于Si3N4以及Sialon陶瓷烧结体，现已提供了一种不用形成复合材料而保持单一状态的、利用超塑性进行成形的工艺，并提供了一种根据该工艺成形出的烧结体。把相对密度在95%以上、线密度对于烧结体的二维横截面上的50μm的长度在120～250范围内的氮化硅及Sialon烧结体；在1300～1700℃的温度下通过拉伸或压缩作用使其在小子10-1/秒的应变速率下发生塑性形变从而进行成形。成形后的烧结体特别在常温下具有优异的机械性能。

公开(公告)号：CN1134693A

公开(公告)日：1996-10-30

申请号：CN95190842.1

申请日：1995-10-04

Applicant: 工业技术院长代表的日本国 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 近藤直树 ,  若井史博 ,  小畑良洋 ,  山川晃 ,  西冈隆夫 ,  吉村雅司

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/599 ,  B28B1/00 ,  B28B3/00

CPC classification number: C04B35/593 ,  C04B35/597

Abstract: 对于Si3N4以及Sialon陶瓷烧结体，现已提供了一种不用形成复合材料而保持单一状态的、利用超塑性进行成型的工艺，并提供了一种根据该工艺成型出的烧结体。把相对密度在95％以上、线密度对于烧结体的二维横截面上的50μm的长度在120～250范围内的氮化硅及Sialon烧结体；在1300～1700℃的温度下通过拉伸或压缩作用使其在小于10-1/秒的应变速率下发生塑性形变从而进行成型。成型后的烧结体特别在常温下具有优异的机械性能。