公开(公告)号：CN100466244C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200710128824.7

申请日：2007-01-15

Applicant: 尔必达存储器股份有限公司 ,  NEC凸版电子基板株式会社

Inventor： 山口昌浩 ,  中村博文

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体封装包括：衬底，含有连接到多个外部电极的布线图案；一或多个半导体芯片，连接到布线图案并安装在衬底上；导电柱，连接到预定外部电极并在纵向方向上起着中继电极作用；和树脂密封层，用来整体密封半导体芯片和导电柱处于一种其中导电柱上部终端面被暴露的状态。

公开(公告)号：CN101083244A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710128824.7

申请日：2007-01-15

Applicant: 尔必达存储器股份有限公司 ,  NEC凸版电子基板株式会社

Inventor： 山口昌浩 ,  中村博文

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体封装包括：衬底，含有连接到多个外部电极的布线图案；一或多个半导体芯片，连接到布线图案并安装在衬底上；导电柱，连接到预定外部电极并在纵向方向上起着中继电极作用；和树脂密封层，用来整体密封半导体芯片和导电柱处于一种其中导电柱上部终端面被暴露的状态。

公开(公告)号：CN101060087A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710096149.4

申请日：2007-04-13

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  NEC凸版电子基板株式会社

Inventor： 山口昌浩 ,  中村博文

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 通过刻蚀金属板形成金属柱。因此，金属柱可以形成有精确的高度和精细间距。通过使用上封装中形成的金属柱将上和下封装连接在一起，能够获得具有精细电极间距的小型化半导体器件。