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公开(公告)号：CN1283007C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN03155096.7
申请日：2003-08-27
Applicant: 尔必达存储器株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/092 , H01L27/105 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/10891 , H01L21/28061 , H01L21/823842 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L29/4941 , H01L29/7833
Abstract: 在具有三个和多个不同费米能级的多晶硅栅电极结构的半导体装置中，具有最低费米能级的P型多晶硅在第一N型表面沟道MOS晶体管上；具有最高费米能级的第一N型多晶硅在第二N型表面沟道MOS晶体管上，和具有在最高费米能级和最低费米能级之间的中间费米能级的，并用N型杂质和P型杂质掺杂的第二N型多晶硅在P沟道MOS晶体管上。
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公开(公告)号：CN1497724A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03155096.7
申请日：2003-08-27
Applicant: 尔必达存储器株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/092 , H01L27/105 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/10891 , H01L21/28061 , H01L21/823842 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L29/4941 , H01L29/7833
Abstract: 在具有三个和多个不同费米能级的多晶硅栅电极结构的半导体装置中，具有最低费米能级的P型多晶硅在第一N型表面沟道MOS晶体管上；具有最高费米能级的第一N型多晶硅在第二N型表面沟道MOS晶体管上，和具有在最高费米能级和最低费米能级之间的中间费米能级的，并用N型杂质和P型杂质掺杂的第二N型多晶硅在P沟道MOS晶体管上。
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公开(公告)号：CN101364634B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810128199.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。
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公开(公告)号：CN101645453A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910139391.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/24 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种可以实现即使相变化材料成为高温、二极管也难以成为高温的存储单元结构的技术，是具备相变化存储器的非易失性存储装置，所述相变化存储器由交叉型存储单元构成，所述交叉型存储单元组合由相变化材料构成的存储元件和由二极管构成的选择元件而得到。制造方法如下：配置存储单元，所述存储单元由存储元件和选择元件构成，所述存储元件位于沿着第1方向延伸的多条第1金属配线2和沿着与第1方向垂直的第2方向延伸的多条第3金属配线9的交点、由相变化材料7构成，所述选择元件由第1多晶硅膜3、第2多晶硅膜4及第3多晶硅膜5的层叠结构的二极管构成，在邻接的选择元件之间及邻接的存储元件之间形成层间膜(例如第2层间膜11)，在设置于邻接的存储元件之间的层间膜上形成空隙(例如空隙12b)。
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公开(公告)号：CN101345289A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810130306.3
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L45/145 , G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C2213/11 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，通过采用可高精度控制固体电解质中的离子运动的器件结构，可以提高具有存储或者开关功能的半导体器件的性能，也能够以低成本对多层化的三维结构进行高集成化。作为半导体元件，是在偏离而配置在纵方向(Z轴方向)上的电极之间形成2层以上成分不同的层，在上述电极之间施加脉冲电压来形成导电通路，使电阻值根据信息信号而发生变化的元件。并且，在上述导电通路的途中形成蓄积了提高导电率的成分的区域，由此使电阻率正确地对应信息信号。更优选在X轴方向、Y轴方向的至少一个方向上，也形成电极并施加控制电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101336490A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680052148.3
申请日：2006-02-09
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C2213/79 , H01L27/0688 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 一种半导体器件，在嵌入了塞(35)的绝缘膜(31)上按顺序形成有由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)、由硫属化合物构成的固体电解质区域(46)和上部电极(47)。由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)由圆顶状的电极部分(43)和将电极部分(43)的周围嵌入的绝缘膜(44)构成，在塞(35)上存在着至少1个电极部分(43)。电极部分(43)包括由如氧化钽那样的即使施加电场也仍然稳定的第一组成物构成的第一部分和由如铜或银那样的通过施加电场很容易向固体电解质区域(46)扩散并移动的第二组成物构成的第二部分。通过使从电极部分(43)供给的第二组成物在固体电解质区域(46)中移动来存储信息。
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公开(公告)号：CN101499437B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN101336490B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200680052148.3
申请日：2006-02-09
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C2213/79 , H01L27/0688 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 一种半导体器件，在嵌入了塞(35)的绝缘膜(31)上按顺序形成有由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)、由硫属化合物构成的固体电解质区域(46)和上部电极(47)。由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)由圆顶状的电极部分(43)和将电极部分(43)的周围嵌入的绝缘膜(44)构成，在塞(35)上存在着至少1个电极部分(43)。电极部分(43)包括由如氧化钽那样的即使施加电场也仍然稳定的第一组成物构成的第一部分和由如铜或银那样的通过施加电场很容易向固体电解质区域(46)扩散并移动的第二组成物构成的第二部分。通过使从电极部分(43)供给的第二组成物在固体电解质区域(46)中移动来存储信息。
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公开(公告)号：CN101345289B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810130306.3
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L45/145 , G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C2213/11 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，通过采用可高精度控制固体电解质中的离子运动的器件结构，可以提高具有存储或者开关功能的半导体器件的性能，也能够以低成本对多层化的三维结构进行高集成化。作为半导体元件，是在偏离而配置在纵方向(Z轴方向)上的电极之间形成2层以上成分不同的层，在上述电极之间施加脉冲电压来形成导电通路，使电阻值根据信息信号而发生变化的元件。并且，在上述导电通路的途中形成蓄积了提高导电率的成分的区域，由此使电阻率正确地对应信息信号。更优选在X轴方向、Y轴方向的至少一个方向上，也形成电极并施加控制电压。
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公开(公告)号：CN101645453B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910139391.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/24 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种可以实现即使相变化材料成为高温、二极管也难以成为高温的存储单元结构的技术，是具备相变化存储器的非易失性存储装置，所述相变化存储器由交叉型存储单元构成，所述交叉型存储单元组合由相变化材料构成的存储元件和由二极管构成的选择元件而得到。制造方法如下：配置存储单元，所述存储单元由存储元件和选择元件构成，所述存储元件位于沿着第1方向延伸的多条第1金属配线2和沿着与第1方向垂直的第2方向延伸的多条第3金属配线9的交点、由相变化材料7构成，所述选择元件由第1多晶硅膜3、第2多晶硅膜4及第3多晶硅膜5的层叠结构的二极管构成，在邻接的选择元件之间及邻接的存储元件之间形成层间膜(例如第2层间膜11)，在设置于邻接的存储元件之间的层间膜上形成空隙(例如空隙12b)。
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