公开(公告)号：CN1519901A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410001937.7

申请日：2004-01-16

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 北村英次 ,  山田悟 ,  加藤慈规 ,  齐野敢太 ,  齐藤政良 ,  饭岛晋平 ,  大汤静宪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28247

Abstract: 一种半导体器件，其在钨膜和多晶硅层之间具有降低的接触电阻和带有具有降低的栅电阻且被预防耗尽的栅电极。根据制造装置半导体器件的方法，一种半导体器件，其在形成栅电极之后且在栅电极上执行侧面选择性氧化之前，通过在氨气体中在700℃－950℃的氮化温度下氮化栅电极的侧面的方式来制造带有多金属栅结构的栅电极，其中，多金属栅结构包含带有钨(W)膜、氮化钨(WN)膜和多晶硅(PolySi)层的三层结构。

公开(公告)号：CN1497724A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03155096.7

申请日：2003-08-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 山田悟 ,  永井亮 ,  大汤静宪 ,  中邑良一 ,  高浦则克

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/10891 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/7833

Abstract: 在具有三个和多个不同费米能级的多晶硅栅电极结构的半导体装置中，具有最低费米能级的P型多晶硅在第一N型表面沟道MOS晶体管上；具有最高费米能级的第一N型多晶硅在第二N型表面沟道MOS晶体管上，和具有在最高费米能级和最低费米能级之间的中间费米能级的，并用N型杂质和P型杂质掺杂的第二N型多晶硅在P沟道MOS晶体管上。

公开(公告)号：CN1283007C

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN03155096.7

申请日：2003-08-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 山田悟 ,  永井亮 ,  大汤静宪 ,  中邑良一 ,  高浦则克

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/10891 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/7833

Abstract: 在具有三个和多个不同费米能级的多晶硅栅电极结构的半导体装置中，具有最低费米能级的P型多晶硅在第一N型表面沟道MOS晶体管上；具有最高费米能级的第一N型多晶硅在第二N型表面沟道MOS晶体管上，和具有在最高费米能级和最低费米能级之间的中间费米能级的，并用N型杂质和P型杂质掺杂的第二N型多晶硅在P沟道MOS晶体管上。

公开(公告)号：CN1812103B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200510136967.3

申请日：2005-12-16

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 山田悟 ,  永井亮

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4941

Abstract: 一种CMOS器件，包括半导体基板、栅极绝缘膜和具有掺杂硼和磷的硅层、氮化钨层和钨层的栅极电极。在硅层的厚度方向的硼浓度分布中，硼的最大浓度和最小浓度的比小于100。该CMOS器件具有比较低的NBTI(负偏置温度稳定性)退化。

公开(公告)号：CN1812103A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510136967.3

申请日：2005-12-16

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 山田悟 ,  永井亮

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4941

Abstract: 一种CMOS器件，包括半导体基板、栅极绝缘膜和具有掺杂硼和磷的硅层、氮化钨层和钨层的栅极电极。在硅层的厚度方向的硼浓度分布中，硼的最大浓度和最小浓度的比小于100。该CMOS器件具有比较低的NBTI(负偏置温度稳定性)退化。